儀器簡介：
本實驗裝置以808nm半導體泵浦Nd:Yv04激光器為研究對象，通過搭建整個實驗系統(tǒng)，完成各部分實驗，從而學習半導體泵浦激光器的調(diào)試方法，觀察倍頻現(xiàn)象，測量閾值，相位匹配等實驗的測試方法，加深對激光原理及光學倍頻技術(shù)等基本理論的理解，實現(xiàn)理論與實踐相結(jié)合；與同類產(chǎn)品相比，本實驗儀器具有功能多，可以開設(shè)實驗多，機械機構(gòu)穩(wěn)定且便于調(diào)試，實驗動手操作性強等特點。
實驗內(nèi)容：
1、了解和掌握半導體泵浦激光器原理和調(diào)節(jié)光路的方法
2、掌握腔內(nèi)倍頻技術(shù)、并了解倍頻技術(shù)的意義
3、掌握測量閾值、相位匹配等基本參數(shù)的方法
4、掌握激光發(fā)散角、光斑尺寸的測量
主要配置和參數(shù)：
1、高強度硬質(zhì)耐磨鋁合金導軌，表面抗氧化噴砂工藝處理，尺寸：1000*214；
2、808半導體激光器（帶控制電源）；連續(xù)輸出功率：500mw；
3、氦氖激光器（帶控制電源），功率≥1.5mw，波長632.8nm；
4、紅外顯示卡：可觀察0.7--1.6nm的近紅外光；
5、KTP晶體：透過波段0.35--4.4μm，電光系數(shù)：γ33=36Pm/V；
6、Nd:YV04晶體：參Nd3+濃度0.1-3.0atm%,平面度<λ/10@632.8nm，鍍膜：AR@1064nm,R<0.1%,HT@808nm,T>90%；
7、光學元件：輸出鏡（R=50mm),濾光片；
8、光功率測試儀：2μW、20μW、200μW、2mW、20mW、200mW六檔功率范圍3位半數(shù)字顯示器；
9、其他：光源架，思維調(diào)節(jié)架，二維調(diào)節(jié)架，光靶
