西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市*經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的，是CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套測(cè)試人員20余名。我們緊跟國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供的技術(shù)服務(wù)。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供的服務(wù)、完善的解決方案及的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	是	電壓	50-8000V

西安長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室介紹
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市*開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的企業(yè)，是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有*的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服

MOSEFT動(dòng)靜態(tài)測(cè)試萬用/多用表產(chǎn)品詳情

半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述

IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實(shí)際意義。

半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計(jì)的一套全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關(guān)時(shí)間測(cè)試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測(cè)試。

基礎(chǔ)規(guī)格

環(huán)境溫度：25～35℃

相對(duì)濕度：小于75%

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa

電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

參數(shù)/條件

	IGBT開通特性測(cè)試		IGBT關(guān)斷特性測(cè)試		測(cè)試氣動(dòng)夾具
測(cè)試參數(shù)	開通延遲 tdon	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	關(guān)斷時(shí)間tdoff	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	壓力： 5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。控溫范圍： 25℃-200℃ 控溫精度： ±1.0℃±1% 器件接觸： 20個(gè)探針的接觸矩陣
	上升時(shí)間 tr	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	下降時(shí)間tf	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃
	開通能量 Eon	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	關(guān)斷能量Eoff	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃
測(cè)試條件	集電極電壓Vce	50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制	集電極電壓Vce	50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制
	集電極電流Ice	50-1500V±5% 根據(jù)用戶要求定制	集電極電流Ice	50-1500V±5% 根據(jù)用戶要求定制
	負(fù)載L	20-1000uH	L負(fù)載	20-1000uH
	柵極電壓Vge	±15V±3%±0.2V
短路測(cè)試Sct		一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA
二極管反向恢復(fù)測(cè)試Drr		反向恢復(fù)電流 / 反向時(shí)間 / 反向di / dt

雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)

概述

雪崩耐量測(cè)試儀是測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環(huán)境溫度：25～35℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時(shí)，相對(duì)濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%，無冷凝。

工作電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗：320W

技術(shù)指標(biāo)

配置	測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測(cè)	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重復(fù)間隙時(shí)間	1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次

關(guān)鍵詞：直流電源傳感器電壓傳感器控制系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)

熱門產(chǎn)品

產(chǎn)品名稱	參考價(jià)	地區(qū)	公司名稱	更新時(shí)間
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