半導(dǎo)體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述
IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導(dǎo)體開關(guān)器件,其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性,直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確測量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有極其重要的實際意義。
半導(dǎo)體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),該系統(tǒng)是針對IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而專門設(shè)計的一套全自動測試系統(tǒng),適用于電流不超過1500A和集電極電壓不超過3500V的IGBT器件開關(guān)時間測試以及正向電流不超過2000A的二極管反向恢復(fù)特性的測試。
基礎(chǔ)規(guī)格
環(huán)境溫度:25~35℃
相對濕度:小于75%
大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa
電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無嚴重諧波
電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
參數(shù)/條件
IGBT開通特性測試 | IGBT關(guān)斷特性測試 | 測試氣動夾具 | |||
測試參數(shù) | 開通延遲 tdon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關(guān)斷時間tdoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 壓力: 5000PA的品牌空壓機供氣。 控溫范圍: 25℃-200℃ 控溫精度: ±1.0℃±1% 器件接觸: 20個探針的接觸矩陣
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上升時間 tr | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 下降時間tf | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
開通能量 Eon | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | 關(guān)斷能量Eoff | 10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃ | ||
測試條件 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | 集電極電壓Vce | 50-3500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | |
集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | 集電極電流Ice | 50-1500V±5% 根據(jù)用戶要求定制 | ||
負載L | 20-1000uH | L負載 | 20-1000uH | ||
柵極電壓Vge | ±15V±3%±0.2V | ||||
短路測試Sct | 一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA | ||||
二極管反向恢復(fù)測試Drr | 反向恢復(fù)電流 / 反向時間 / 反向di / dt |