銦砷化鎵相機是Photonic Science科學(xué)級InGaAs相機和SWIR相機,提供640x512像素分辨率分辨率和900-1700nm光譜范圍,廣泛用于激光光束分析,半導(dǎo)體檢測,高光譜成像,在線檢測,弱光成像,太陽能電池面板檢測.
銦砷化鎵相機在太陽能電池面板檢測領(lǐng)域非常成功,非常容易看到裂縫等缺陷因為硅在1.1微米附近具有較高透過率,這樣InGaAs相機能夠捕捉到太陽能電池面板的微弱電致發(fā)光和光致發(fā)光光譜Photoluminescence.InGaAs相機能夠在室溫環(huán)境下實現(xiàn)截止波長到1.7μm~2.0μm范圍,非常適合夜視和紅外檢測.
銦砷化鎵相機應(yīng)用
光譜時域OCT成像
太陽能電池面板檢測
科學(xué)研究成像
太陽能硅片檢測
天文學(xué)研究
半導(dǎo)體檢測
TIRF超分辨率顯微成像
高溫爐溫度監(jiān)測
共聚焦顯微鏡細胞成像
工業(yè)熱成像
化學(xué)發(fā)光成像
成像光譜
DeSrmpatoelogcic timragoingscopy
組織紅外顯微成像
單分子成像
激光光束質(zhì)量分析
細胞運動成像/活細胞成像
弱光成像和距離選通紅外成像
高光譜成像
電子顯微成像
生物芯片讀取
光譜儀器
銦砷化鎵相機規(guī)格參數(shù)
探測器：InGaAs陣列
分辨率:640 (h) x 512 (v)
像素大小: 25 x 25像素
像素尺寸: 16 x 12.8 mm
成像速度: 22 fps 滿分辨率
低增益模式相應(yīng): 1.3mV / 電子
高增益模式響應(yīng): 64mV /電子
量子效率:High QE (75%)
制冷:單級peltier制冷實現(xiàn)較低暗電流
暗電流: 3,000 el/pixel/sec @ -30 degree C (2x every 7 degree C)
讀取噪音: 約為120 el, ROI limited, <100 el with interpolation noise reduction
外殼: 堅固設(shè)計
接口：C-mount
銦砷化鎵相機在太陽能電池面板檢測領(lǐng)域非常成功,非常容易看到裂縫等缺陷因為硅在1.1微米附近具有較高透過率,這樣InGaAs相機能夠捕捉到太陽能電池面板的微弱電致發(fā)光和光致發(fā)光光譜Photoluminescence.InGaAs相機能夠在室溫環(huán)境下實現(xiàn)截止波長到1.7μm~2.0μm范圍,非常適合夜視和紅外檢測.
銦砷化鎵相機應(yīng)用
光譜時域OCT成像
太陽能電池面板檢測
科學(xué)研究成像
太陽能硅片檢測
天文學(xué)研究
半導(dǎo)體檢測
TIRF超分辨率顯微成像
高溫爐溫度監(jiān)測
共聚焦顯微鏡細胞成像
工業(yè)熱成像
化學(xué)發(fā)光成像
成像光譜
DeSrmpatoelogcic timragoingscopy
組織紅外顯微成像
單分子成像
激光光束質(zhì)量分析
細胞運動成像/活細胞成像
弱光成像和距離選通紅外成像
高光譜成像
電子顯微成像
生物芯片讀取
光譜儀器
銦砷化鎵相機規(guī)格參數(shù)
探測器：InGaAs陣列
分辨率:640 (h) x 512 (v)
像素大小: 25 x 25像素
像素尺寸: 16 x 12.8 mm
成像速度: 22 fps 滿分辨率
低增益模式相應(yīng): 1.3mV / 電子
高增益模式響應(yīng): 64mV /電子
量子效率:High QE (75%)
制冷:單級peltier制冷實現(xiàn)較低暗電流
暗電流: 3,000 el/pixel/sec @ -30 degree C (2x every 7 degree C)
讀取噪音: 約為120 el, ROI limited, <100 el with interpolation noise reduction
外殼: 堅固設(shè)計
接口：C-mount
