銦砷化鎵相機(jī)在太陽能電池面板檢測領(lǐng)域非常成功,非常容易看到裂縫等缺陷因?yàn)楣柙?.1微米附近具有較高透過率,這樣InGaAs相機(jī)能夠捕捉到太陽能電池面板的微弱電致發(fā)光和光致發(fā)光光譜Photoluminescence.InGaAs相機(jī)能夠在室溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)截止波長到1.7μm~2.0μm范圍,非常適合夜視和紅外檢測.
銦砷化鎵相機(jī)應(yīng)用
光譜時(shí)域OCT成像
太陽能電池面板檢測
科學(xué)研究成像
太陽能硅片檢測
天文學(xué)研究
半導(dǎo)體檢測
TIRF超分辨率顯微成像
高溫爐溫度監(jiān)測
共聚焦顯微鏡細(xì)胞成像
工業(yè)熱成像
化學(xué)發(fā)光成像
成像光譜
DeSrmpatoelogcic timragoingscopy
組織紅外顯微成像
單分子成像
激光光束質(zhì)量分析
細(xì)胞運(yùn)動(dòng)成像/活細(xì)胞成像
弱光成像和距離選通紅外成像
高光譜成像
電子顯微成像
生物芯片讀取
光譜儀器
銦砷化鎵相機(jī)規(guī)格參數(shù)
探測器:InGaAs陣列
分辨率:640 (h) x 512 (v)
像素大小: 25 x 25像素
像素尺寸: 16 x 12.8 mm
成像速度: 22 fps 滿分辨率
低增益模式相應(yīng): 1.3mV / 電子
高增益模式響應(yīng): 64mV /電子
量子效率:High QE (75%)
制冷:單級peltier制冷實(shí)現(xiàn)較低暗電流
暗電流: 3,000 el/pixel/sec @ -30 degree C (2x every 7 degree C)
讀取噪音: 約為120 el, ROI limited, <100 el with interpolation noise reduction
外殼: 堅(jiān)固設(shè)計(jì)
接口:C-mount