壓電雙晶片變形鏡規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)
•基片材料可提供石英,玻璃或硅雙晶片
孔徑10-500 mm
•變形行程-高達(dá)40μm
•控制電極數(shù)量-1-128
•頻率范圍-高達(dá)5 KHz
•滯后-12%
•激光損傷閾值-玻璃激光為20J/cm²,TiS激光為3J/cm²
•反射膜-保護(hù)性鋁,保護(hù)性銀,金屬介質(zhì)膜,多層介質(zhì)膜(給定波長(zhǎng)反射率ρ≥99%)等。
水冷型壓電雙晶片變形鏡:
•材料-銅、硅
•孔徑20-100 mm
•變形行程-高達(dá)15μm
•損傷閾值-CO2激光為10kW/cm²,玻璃激光為50kW/cm²
•控制電極數(shù)量-最多32個(gè)
•頻率范圍-高達(dá)4 KHz
•反射膜鍍膜:按客戶要求
每個(gè)壓電雙晶片變形鏡都配有控制單元的電子模塊,通過(guò)USB端口或ISA I/O卡與標(biāo)準(zhǔn)PC機(jī)相連。包括標(biāo)準(zhǔn)軟件。根據(jù)請(qǐng)求,主動(dòng)壓電雙晶片變形鏡可通過(guò)傾斜校正器或傾斜保持架進(jìn)行補(bǔ)充。