光子輻射Photoemission視圖可幫助用戶定位工作中的集成電路晶體管,確定重要的有效區(qū)域,并確定執(zhí)行故障注入和/或定位側(cè)槽工具。
光子輻射顯微鏡具有如下兩種觀察模式:
標(biāo)準(zhǔn)紅外成像模式:可從集成電路背部透過硅觀察集成電路(如下圖1)
光發(fā)射成像模式:可觀察集成電路元器件的光電發(fā)射輻射(如下圖2)
上述兩種圖像可重疊起來,更好觀測失效的電子元器件Z(如下圖3)
圖1:集成電路背部的紅外成像圖
圖2: 光子輻射模式成像圖
圖3: 光子輻射圖與紅外成像圖的疊加
光子輻射顯微鏡特點
非常適合集成電路背部光子輻射觀測
快速工作能力,僅僅需要數(shù)百毫秒就可獲得高質(zhì)量光子輻射圖像
可添加激光注入故障分析模塊功能
多種相機(jī)供選擇
光子輻射顯微鏡規(guī)格參數(shù)
光譜范圍:900-1700nm
分辨率:640x512像素
像素大?。?5um x 15um
制冷方式:TEC