低溫真空探針臺(tái)
產(chǎn)品概述:
可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2K~500K),可升級(jí)加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過(guò)的硅二極管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持*高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。
可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2K~500K),可升級(jí)加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過(guò)的硅二極管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持*高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。
可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2K~500K),可升級(jí)加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過(guò)的硅二極管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持*高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。
高低溫真空探針臺(tái)技術(shù)指標(biāo):
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