MKY-RJ39-2060 α、β表面污染測(cè)量?jī)x
主要參數(shù)指標(biāo)
v 探 測(cè) 器:雙閃探測(cè)器 ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v 主機(jī)為惰性探測(cè)器
v 主機(jī)γ劑量率:0.01--30000μSv/h(可擴(kuò)展到10sv/h)
v 探測(cè)器面積:60cm2
v 核素庫:20個(gè)內(nèi)置核素庫,可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量,且可自定義
v 計(jì)數(shù)范圍:1~1000000
v 探測(cè)效率:α≥50%(對(duì)239Pu),β≥50%
v 靈 敏 度:α表面活度響應(yīng)>s-1Bq-1cm2;β表面活度響應(yīng)>7s-1Bq-1cm2
v 測(cè)量本底: 每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS,β≤8CPS
v 測(cè)量時(shí)間:1、10、20、60、120秒可選
v 顯示單位:CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v 相對(duì)基本誤差:≤±15%
v 環(huán)境特性:工作溫度范圍:-10℃~+45℃
v 相對(duì)濕度范圍:≤90%(40℃)
v 供電電源:鋰電池
v 功 耗:整機(jī)電流≤150mA
外 殼:工程ABS
MKY-RJ39-2060 α、β表面污染測(cè)量?jī)x
主要參數(shù)指標(biāo)
v 探 測(cè) 器:雙閃探測(cè)器 ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v 主機(jī)為惰性探測(cè)器
v 主機(jī)γ劑量率:0.01--30000μSv/h(可擴(kuò)展到10sv/h)
v 探測(cè)器面積:60cm2
v 核素庫:20個(gè)內(nèi)置核素庫,可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量,且可自定義
v 計(jì)數(shù)范圍:1~1000000
v 探測(cè)效率:α≥50%(對(duì)239Pu),β≥50%
v 靈 敏 度:α表面活度響應(yīng)>s-1Bq-1cm2;β表面活度響應(yīng)>7s-1Bq-1cm2
v 測(cè)量本底: 每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS,β≤8CPS
v 測(cè)量時(shí)間:1、10、20、60、120秒可選
v 顯示單位:CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v 相對(duì)基本誤差:≤±15%
v 環(huán)境特性:工作溫度范圍:-10℃~+45℃
v 相對(duì)濕度范圍:≤90%(40℃)
v 供電電源:鋰電池
v 功 耗:整機(jī)電流≤150mA
外 殼:工程ABS
MKY-RJ39-2060 α、β表面污染測(cè)量?jī)x
主要參數(shù)指標(biāo)
v 探 測(cè) 器:雙閃探測(cè)器 ZnS(Ag)涂層、塑料閃爍體晶體
v 主機(jī)為惰性探測(cè)器
v 主機(jī)γ劑量率:0.01--30000μSv/h(可擴(kuò)展到10sv/h)
v 探測(cè)器面積:60cm2
v 核素庫:20個(gè)內(nèi)置核素庫,可進(jìn)行制定核素活度測(cè)量,且可自定義
v 計(jì)數(shù)范圍:1~1000000
v 探測(cè)效率:α≥50%(對(duì)239Pu),β≥50%
v 靈 敏 度:α表面活度響應(yīng)>s-1Bq-1cm2;β表面活度響應(yīng)>7s-1Bq-1cm2
v 測(cè)量本底: 每分鐘計(jì)數(shù)α≤0.1CPS,β≤8CPS
v 測(cè)量時(shí)間:1、10、20、60、120秒可選
v 顯示單位:CPM、CPS、Bq/cm2、mSv、μGy/h、mGy/h
v 相對(duì)基本誤差:≤±15%
v 環(huán)境特性:工作溫度范圍:-10℃~+45℃
v 相對(duì)濕度范圍:≤90%(40℃)
v 供電電源:鋰電池
v 功 耗:整機(jī)電流≤150mA
外 殼:工程ABS