?半導體脈沖激光器
紅外半導體脈沖激光器具有高峰值功率、長壽命、易操作等特點，廣泛應用于激光測距、光學儀器等領域。
產品參數：
型號 | 輸出功率(mW) | 單脈沖能量(uJ) | 重復頻率(Hz) | 脈沖寬度(ns) | 參數頁 |
MDL-III-P-905 | 1~70 | 7(@10kHz) | 1~20k | ~36(@10kHz) | MDL-III-P-905 |
MDL-III-P-1550 | 1~30 | 57(@6kHz) | 1~20k | ~150(@6kHz) | MDL-III-P-1550 |
Wavelength (nm) | 905±5 |
Operating mode | Modulation(pulse) |
Output power (mW) | 1~70 |
Single pulse energy (μJ) | 7（@10KHz） |
Pulse duration (ns) | ~36（@10KHz） |
Peak power (W) | ~200（@10KHz） |
Rep. rate (Hz) | 1~20K |
Warm-up time (minutes) | <10 |
Beam divergence, full angle (mrad) | <16（@70mW,10KHz） |
Beam diameter at the aperture (mm) | ~4×5（@70mW,10KHz） |
Beam height from base plate (mm) | 24.8 |
Operating temperature (℃) | 15~35 |
Power supply (220/110VAC) | PSU-III-FDA |
Expected lifetime (hours) | 10000 |
Warranty period | 1 year |
?
INFRARED DIODE LASER AT 1550nm SPECIFICATIONS：
Wavelength (nm) | 1550±5 |
Operating mode | Modulation(pulse) |
Output power (mW) | 1~30 |
Single pulse energy (μJ) | 5（@6kHz） |
Pulse duration (ns) | ~150（@6kHz） |
Peak power (W) | ~35（@6kHz） |
Rep. rate (Hz) | 1~20k |
Warm-up time (minutes) | <10 |
Beam divergence, full angle (mrad) | <16（@30mW,6kHz） |
Beam diameter at the aperture (mm) | ~4×5（@30mW,6kHz） |
Beam height from base plate (mm) | 24.8 |
Operating temperature (℃) | 15~35 |
Power supply (220/110VAC) | PSU-III-FDA |
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參考文獻：
典型客戶：
西北工業(yè)大學
國防科技大學
復旦大學
上海交通大學等
