昆山國華等離子設(shè)備去氧化膜工作原理
氧化物半導(dǎo)體（oxide semiconductor）具有半導(dǎo)體特性的一類氧化物。氧化物半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)與環(huán)境氣氛有關(guān)。導(dǎo)電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導(dǎo)體，是p型半導(dǎo)體;電導(dǎo)率隨還原氣氛而增加稱為還原型半導(dǎo)體，是n型半導(dǎo)體;導(dǎo)電類型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半導(dǎo)體稱為兩性半導(dǎo)體。非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過低溫化學(xué)反應(yīng)（如金屬氯化物與水
昆山國華等離子設(shè)備去氧化膜工作原理
氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)具有半導(dǎo)體特性的一類氧化物。氧化物半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)與環(huán)境氣氛有關(guān)。導(dǎo)電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導(dǎo)體，是p型半導(dǎo)體;電導(dǎo)率隨還原氣氛而增加稱為還原型半導(dǎo)體，是n型半導(dǎo)體;導(dǎo)電類型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半導(dǎo)體稱為兩性半導(dǎo)體。非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過低溫化學(xué)反應(yīng)(如金屬氯化物與水的復(fù)分解反應(yīng))來制備。氧化物單晶的制備有焰熔法、熔體生長法和氣相反應(yīng)生長法。氧化物半導(dǎo)體ZnO、CdO、SnO2等常用于制造氣敏元件，F(xiàn)e2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造濕敏元件;SnO2膜用于制做透明電極等。
作為"新一代電子的基礎(chǔ)材料"而備受顯示器技術(shù)人員關(guān)注的就是氧化物半導(dǎo)體TFT。因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體TFT是驅(qū)動(dòng)超高精細(xì)液晶面板、有機(jī)EL面板以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料佳候選之一。預(yù)計(jì)早將在2012~2013年開始實(shí)用化，將來或許還會(huì)成為具備"柔性"和"透明"等特點(diǎn)的電子元件的實(shí)現(xiàn)手段。
半導(dǎo)體去氧化膜/有機(jī)物等離子表面處理設(shè)備
氧化物半導(dǎo)體是通常容易成為絕緣體的氧化物，但卻具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。在眾多物質(zhì)當(dāng)中，受關(guān)注的是"透明非晶氧化物半導(dǎo)體(TAOS:Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)"。非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)就是一個(gè)代表性例子。除了三星和LG顯示器等韓國企業(yè)外，日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企業(yè)也在致力于TFT的應(yīng)用開發(fā)。
TAOS類TFT的載流子遷移率高達(dá)250px2/Vs以上，特性不均現(xiàn)象也較小。因此，可驅(qū)動(dòng)像素為"4K×2K"(4000×2000像素級)、驅(qū)動(dòng)頻率為240Hz的新一代高清晰液晶顯示器。當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)--非晶硅類TFT以及作為新一代技術(shù)而被大力開發(fā)的有機(jī)半導(dǎo)體TFT因載流子遷移率只有數(shù)cm2/Vs以下，很難應(yīng)用到上述用途中。即使是在有機(jī)EL顯示器領(lǐng)域，與開發(fā)案例較多的低溫多晶硅類TFT相比，實(shí)現(xiàn)大屏幕化時(shí)還是TAOS類TFT具有優(yōu)勢這是因?yàn)锳OS類TFT可以抑制有機(jī)EL面板中存在著的因TFT特性不均而導(dǎo)致的顯示不均現(xiàn)象。TAOS薄膜可通過濺射法形成，制造成本也容易降低。
以上就是昆山國華等離子設(shè)備去氧化膜工作原理。
