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  • P溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管

NTS2101PT1G P溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)NTS2101PT1G
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2019-07-11
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量198
  • 人氣值4677
產(chǎn)品標(biāo)簽

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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P溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)品詳情

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特征
用于低R DS(on)的*溝槽技術(shù)延長(zhǎng)電池壽命
-1.8 V額定低壓柵極驅(qū)動(dòng)• SC-70表面貼裝,適用于小尺寸(2 x 2 mm)
可提供無(wú)鉛封裝

規(guī)格

FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 1.4A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(大 Rds On,小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(大值) 100 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(大值) 6.4nC @ 5V
Vgs(大值) ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(大值) 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 290mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-3(SOT323)
封裝/外殼 SC-70,SOT-323

應(yīng)用
高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
充電電路
單細(xì)胞電池應(yīng)用,如手機(jī),數(shù)碼相機(jī),PDA等

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