T3Ster熱阻測(cè)試儀是MicReD研發(fā)制造的*的熱測(cè)試儀，用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于*的JEDEC ‘Static Method’測(cè)試方法（JESD51-1），通過改變電子器件的輸入功率，使得器件產(chǎn)生溫度變化，在變化過程中，T3Ster測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線，僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。T3Ster測(cè)試技術(shù)不是基于“脈沖方法”的熱測(cè)試儀，“脈沖方法”由于是基于延時(shí)測(cè)量的技術(shù)所以其測(cè)出的溫度瞬態(tài)測(cè)試曲線精度不高，而T3Ster 采用的是“運(yùn)行中”的實(shí)時(shí)測(cè)量的方法，結(jié)合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態(tài)曲線。
運(yùn)用*的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法（JESD51-1），專業(yè)測(cè)試各類IC（包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。
T3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法，其原理為：
1) 首先通過改變電子器件的功率輸入；
2) 通過TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數(shù))測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線；
3) 對(duì)溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；
4) 從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。
T3Ster熱阻測(cè)試儀設(shè)備參數(shù)
● 加熱電壓范圍：標(biāo)配1-10V，不確定度小于±1%。選配功率放大器，大電壓可達(dá)280V
● 加熱電流范圍：標(biāo)配0.01-2A，不確定度小于±1%。選配功率放大器，大電流達(dá)100A或更大
● 加熱功率脈沖：無時(shí)間限制
● 熱阻測(cè)量范圍：0.002-1000℃/W，不確定度小于±1%
● 測(cè)試通道數(shù)量：標(biāo)配2通道，同一主機(jī)箱內(nèi)可以升級(jí)至8通道
● 溫度采集響應(yīng)時(shí)間：1μs
● 溫度測(cè)量精度：±0.01℃
● 通道測(cè)量解析度：12bit
● 通道噪聲：±1bit
● 取樣容量：每個(gè)通道64k
應(yīng)用范圍
● 各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件，包括：常見的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
● 各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) 。
● 各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測(cè)試，如熱管、風(fēng)扇等。
● 半導(dǎo)體器件結(jié)溫測(cè)量。
● 半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測(cè)量。
● 半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析，包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)（芯片+焊接層+熱沉等）的熱阻和熱容參數(shù)。
● 半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷，幫助用戶準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)。
● 材料熱特性測(cè)量（導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容）。
● 接觸熱阻測(cè)量，包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測(cè)試。
