產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
電化學(xué)工作站由高速M(fèi)CU、高精度FET集成電路組成，內(nèi)置DDS數(shù)字信  號(hào)合成器、高功率恒電位/恒電流儀、雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高  精度24bit AD轉(zhuǎn)換器。能完成線性掃描伏安(LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯波循環(huán)  伏安(SCV)、方波循環(huán)伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)和常規(guī)脈沖伏安(NPV)以及差分常規(guī)脈沖伏安 (DNPV)等電分析方法；還可以完成恒電流(位)化、動(dòng)電位(流)掃描、恒電流 (位)方波、多恒電流(位)階躍、零電阻電流計(jì)、電化學(xué)  噪聲(電偶電流)、電化學(xué)阻抗(EIS)等電化學(xué)測(cè)試等功能，測(cè)量功能定  時(shí)自動(dòng)進(jìn)行，用于人值守下的自動(dòng)測(cè)量。
多通道電化學(xué)工作站（四通道），通道切換采用繼電器進(jìn)行，并由定時(shí)器控制來(lái)進(jìn)行分時(shí)測(cè)量，主于多電解池體系自動(dòng)循環(huán)測(cè)試，以提高工作效率。
可用于較大電流和較高槽壓的電化學(xué)測(cè)量和應(yīng)用，例如電池、電分析、腐蝕、電解、電鍍等。儀器的電流輸出范圍為±2A，槽壓為±21V。電壓控制范圍：±10V；電流控制范圍：±2.0A；電流測(cè)量下限為10pA。
測(cè)試軟件是CS電化學(xué)工作站的控制平臺(tái)，軟件基于Windows98/ 2000/XP/Vista/Windows7操作系統(tǒng)，并遵守Windows軟件設(shè)計(jì)規(guī)則，易于安裝和使用。軟件包括文件管理、實(shí)驗(yàn)方法管理、多坐標(biāo)圖形顯示和縮放、數(shù)據(jù)/圖形的存貯/打印以及交互式幫助等。軟件具有的用戶界面，命令窗口所用的詞匯與的電化學(xué)術(shù)語(yǔ)保持*，中文菜單和界面，方便用戶的教學(xué)和科研工作。
測(cè)試軟件還具有針對(duì)材料和腐蝕電化學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法，包括鈍化曲線自動(dòng)或人工反掃，電化學(xué)再活化法，溶液電阻（IR降）測(cè)量和補(bǔ)償法。分析軟件則具有完善的數(shù)據(jù)分析功能，可對(duì)伏安曲線進(jìn)行數(shù)字平滑、積分、微分運(yùn)算，能對(duì)化曲線進(jìn)行電化學(xué)參數(shù)解析，包括化電阻Rp，Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，腐蝕速率計(jì)算等，還可計(jì)算噪聲電阻Rn和功率譜，并可將圖形以矢量方式拷貝到Microsoft Word 文檔中。
電化學(xué)工作站采用USB2.0接口與計(jì)算機(jī)通訊，設(shè)備安裝簡(jiǎn)單，即插即用。
外形尺寸：36.5cm(寬)*30.5cm(深)*16cm(高)     儀器重量：6.5Kg 
應(yīng)用領(lǐng)域：
1.研究電化學(xué)機(jī)理；物質(zhì)的定性定量分析  
2.常規(guī)電化學(xué)測(cè)試，包括電合成、電沉積(電鍍)性能評(píng)價(jià)
3.功能和能源材料(電池、超電容器、納米材料、生物傳感器等)的機(jī)理和制備研究
4.緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率快速評(píng)價(jià)以及氫滲測(cè)試等
5.金屬材料在導(dǎo)電性介質(zhì)(包括水/混凝土/土壤等環(huán)境)中的腐蝕電化學(xué)測(cè)試
儀器配置：
1.儀器主機(jī)1臺(tái)
2.測(cè)試與分析軟件1套
3.電解池(含鹽橋和排氣管)4套
4.鉑金電、參比電、工作電及4支 
5.模擬電解池1個(gè)  
6.電源線/USB數(shù)據(jù)線1條
7.電電纜線4根
8.屏蔽箱 (選配*)
指標(biāo)與功能方法：
恒電位電位控制范圍：±10V
恒電流控制范圍：±2.0A
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度：10cV(>100Hz), 3mV(<10Hz)
電流靈敏度：<10pA
電位上升時(shí)間：﹤1mS(<10mA),<10mS(<2A)
電流量程：2A～200nA, 共8檔
參比電輸入阻抗：1012 W||20pF
Z大輸出電流：2.0A
槽壓：±21V
電流掃描增量：1mA @1A/mS
CV 和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s
電位掃描時(shí)電位增量：0.1mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz
CV的Z小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit1MHz，20bit @1kHz
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1mS
低通濾波器 ：8段可編程
接口通訊模式：USB2.0
SWV頻率：0.001～100KHz
CV的Z小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit1MHz，20bit @1kHz
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1mS
低通濾波器 ：8段可編程
接口通訊模式：USB2.0
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)：
信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10mHz～115KHz(CS314/CS354)
          10mHz～115KHz(CS364)
交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV 
直流偏壓：-10～+10V
DDS輸出阻抗：50W
波形：正弦波，三角波，方波
正弦波失真：<1%
掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
Z大負(fù)載電容：1nF；Z大負(fù)載電感：10mH
信號(hào)分析器
積分時(shí)間：Z大值：106個(gè)循環(huán)或者105S
測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
Z小值：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的Z長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位自動(dòng)補(bǔ)償范圍：-10V～+10V
電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8可調(diào)
腐蝕測(cè)量：
開路電位測(cè)量（OCP）
恒電位化
恒電流化（計(jì)時(shí)電位法, CP）
動(dòng)電位掃描（Tafel化曲線）
線性化曲線（LPR）
循環(huán)化曲線（依擊穿電流回掃）
動(dòng)電流掃描
電化學(xué)噪聲測(cè)量
電偶腐蝕測(cè)量（零阻電流計(jì)）
氫滲透監(jiān)測(cè)
伏安分析：
線性掃描伏安法（LSV）
差分脈沖伏安法（DPV）
常規(guī)脈沖伏安法（NPV）
方波伏安法（SWV）
交流伏安法（ACV）
溶出伏安法
常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）
差分脈沖電流檢測(cè)（DPA）
雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA）
循環(huán)伏安法（CV）
階梯伏安法（SCV）
計(jì)時(shí)電位法 （CP）
計(jì)時(shí)電流法 （CA）
計(jì)時(shí)電量法（CC）
暫態(tài)化：
恒電位方波
恒電流方波
多電位階躍（VSTEP）
多電流階躍（ISTEP）
交流阻抗：
化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描
擴(kuò)展測(cè)量：
電池充放電測(cè)試
自動(dòng)定時(shí)測(cè)量
數(shù)字記錄儀
IR降測(cè)量
波形發(fā)生器
圓盤電機(jī)控制
注：* 氫滲透測(cè)試中主動(dòng)式充氫需要另行配置ELDYCS-1001A精密恒流源使用。