光譜反射儀是一種功能強(qiáng)大切且非接觸式的薄膜測(cè)量方法，膜厚儀器，當(dāng)薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)在測(cè)量系統(tǒng)范圍內(nèi)時(shí)，系統(tǒng)能又快又輕松的測(cè)量。在用來(lái)測(cè)量薄膜厚度時(shí)，有幾種常見(jiàn)的對(duì)光譜反射儀的誤解。比如：　　1. 它只能測(cè)量薄膜厚度，且需要預(yù)先知道光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù));　　2. 和橢偏儀相比它的精度較低;　　3. 只有一到兩個(gè)厚度可同時(shí)測(cè)量。　　這些誤解反映了光譜反射儀這種技術(shù)沒(méi)有被充分利用。其使用方法和數(shù)據(jù)分析有待進(jìn)一步的深入?！　」庾V反射儀和橢偏儀都是間接的測(cè)量方法，都需要建立一個(gè)模型，通過(guò)調(diào)整物理參數(shù)(厚度和光學(xué)常數(shù))，使得模型與測(cè)量得到的反射率曲線達(dá)到擬合度，以此來(lái)反推計(jì)算薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)。橢偏儀考慮了光的極化，采用P波和S偏振反射光之間的相位差異，然而光譜反射儀不使用相位差，光學(xué)膜厚儀，非常薄的薄膜對(duì)相位差敏感度很高，但薄膜厚度增加相位差敏感度會(huì)減少。事實(shí)上，橢偏儀在下列情況下較光譜反射儀有明顯優(yōu)勢(shì)：　　1. 待測(cè)薄膜很薄<10納米　　2. 在測(cè)量非吸收薄膜時(shí)，同步測(cè)量T、n(K=0)　　3. 直接測(cè)量n，k值(主要用于未知材料的基片)　　但是光譜反射儀在下列情況下具有明顯的優(yōu)勢(shì)：　　1. 精度要求較高的厚度測(cè)量(除很薄的薄膜外)MProbe精度<0.01納米　　2. 測(cè)量較厚的薄膜(>10微米)。Mprobe精度達(dá)到500微米　　3. 更高的測(cè)量速度 Mprobe<1毫秒　　4. 測(cè)量表面粗糙度　　這兩種技術(shù)都可以測(cè)量復(fù)雜的多層薄膜，計(jì)算其厚度和材料的n、k值?！　⊥ǔＨ藗兌际褂霉庾V反射儀，認(rèn)為它適合簡(jiǎn)單的厚度測(cè)量：一至二層薄膜。下面是一些使用光譜反射儀證明其存在更復(fù)雜的應(yīng)用能力的例子：通常，測(cè)量poly-Si多晶硅和SiN(氮化硅)是兩個(gè)主要應(yīng)用，導(dǎo)致了橢偏儀和光譜反射儀在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域里有著廣泛的應(yīng)用。以傳統(tǒng)的使用方法，顯然不適合這些應(yīng)用。因此，說(shuō)明光譜反射儀的應(yīng)用是非常有意義的。事實(shí)上如果運(yùn)用得當(dāng)，測(cè)量它們非常成功。