1746-NO4V
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單電容滾降
圖5 中的示例稍為復(fù)雜。目前為止，所有的等式都針對(duì)電阻而言;但更準(zhǔn)確的做法是，它們應(yīng)當(dāng)將阻抗考慮在內(nèi)。在加入電容的情況下（無(wú)論是故意添加的電容或是寄生電容），交流CMRR均取決于目標(biāo)頻率下的阻抗比。若要滾降該示例中的頻率響應(yīng)，則可在反饋電阻兩端添加電容C2，如通常會(huì)在反相運(yùn)算放大器配置中做的那樣。
圖 5. 嘗試創(chuàng)建低通響應(yīng)
如需匹配阻抗比Z1 = Z3 和Z2 = Z4，就必須添加電容C4.市場(chǎng)上很容易就能買(mǎi)到 0.1%或更好的電阻，但哪怕是0.5%的電容售價(jià)都要高于1 美元。極低頻率下的阻抗可能無(wú)關(guān)緊要，但電 容容差或PCB布局產(chǎn)生的兩個(gè)運(yùn)算放大器輸入端 0.5 pF的差額可導(dǎo)致 10 kHz時(shí)交流CMR下降 6 dB。這在使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)顯得尤為重要。
單芯片差動(dòng)放大器（如AD8271、 AD8274或 AD8276）具有好 得多的交流CMRR性能，因?yàn)檫\(yùn)算放大器的兩路輸入處于芯片上的可控環(huán)境下，且價(jià)格通常較分立式運(yùn)算放大器和四個(gè)精密電阻更為便宜。
：歐工
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535-1212
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