摘要 TC-93026A 天線(xiàn)耦合器 TC-93026A 天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93023C天線(xiàn)耦合器 TC-93023C天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93024A天線(xiàn)耦合器 TC-93024A天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93030B天線(xiàn)耦合器 TC-93030B天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93031A天線(xiàn)耦合器 TC-93031A天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93034A天線(xiàn)耦合器 TC-93034A天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93061A 天線(xiàn)耦合器 TC-93061A 天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93060A天線(xiàn)耦合器 TC-93060A天線(xiàn)耦合器

摘要 TC-93062A天線(xiàn)耦合器 TC-93062A天線(xiàn)耦合器

摘要 億光光耦EL817是億光代理商超毅電子的主推產(chǎn)品之一，光耦EL817是中國(guó)臺(tái)灣億光生產(chǎn)的線(xiàn)性光耦，用在電源的反饋回路，用來(lái)穩(wěn)定電壓和隔離

摘要 TC-93026B 天線(xiàn)耦合板使用說(shuō)明：將被測(cè)物放置在天線(xiàn)耦合器上，信號(hào)將通過(guò)耦合器傳送到測(cè)試儀。

摘要 TC-93023C天線(xiàn)耦合板使用說(shuō)明：將被測(cè)物放置在天線(xiàn)耦合器上，信號(hào)將通過(guò)耦合器傳送到測(cè)試儀。

摘要 傳送耦合器 PET18-5，采用回路供電，由磁耦合線(xiàn)圈提供信號(hào)，具備*的環(huán)境適應(yīng)能力，故障概率低，應(yīng)用在石油設(shè)備、鉆井、機(jī)械表和各種旋轉(zhuǎn)軸等方面，增加用戶(hù)的選擇空間。

摘要 億光直插6pin光耦4N25包含一個(gè)紅外發(fā)光二極管光光電晶體管耦合，他們被打包在一個(gè)六腳浸包和在大幅間距和SMD選項(xiàng)

摘要 億光直插6pin光耦4N26包含一個(gè)紅外發(fā)光二極管的光耦合到光電晶體管

摘要 億光光耦4N27包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光光耦4N28包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光光耦4N29包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管的光耦合到一個(gè)達(dá)林頓光檢測(cè)器

摘要 億光光耦4N31包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管的光耦合到一個(gè)達(dá)林頓光檢測(cè)器

摘要 億光光耦4N32包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管的光耦合到一個(gè)達(dá)林頓光檢測(cè)器

摘要 億光光耦4N33包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管的光耦合到一個(gè)達(dá)林頓光檢測(cè)器

摘要 億光光耦4N35包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光光耦4N36包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光光耦4N37包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光光耦4N38包括一個(gè)紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)光電晶體管

摘要 億光直插光耦EL3010包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3011包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3012包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3021包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3022包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3023包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅隨機(jī)相位圖雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3031包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3032包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3033包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3041包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3042包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3043包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插光耦EL3051裝置各包括一個(gè)砷化鎵紅外發(fā)光二極管光再加上一個(gè)隨機(jī)相位光可控硅單片硅

摘要 億光直插光耦EL3052裝置各包括一個(gè)砷化鎵紅外發(fā)光二極管光再加上一個(gè)隨機(jī)相位光可控硅單片硅

摘要 億光直插光耦EL3053裝置各包括一個(gè)砷化鎵紅外發(fā)光二極管光再加上一個(gè)隨機(jī)相位光可控硅單片硅

摘要 億光直插6pin光耦EL3061包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插6pin光耦EL3062包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插6pin光耦EL3063包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插6pin光耦EL3081包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅

摘要 億光直插6pin光耦EL3082包含砷化鎵紅外發(fā)光二極管光耦合到一個(gè)單片硅零電壓穿越照片雙向可控硅