摘要 用于紅外儀器和傳感應(yīng)用的大面積高靈敏度光電二極管。800 nm至1700 nm范圍內(nèi)的高光譜響應(yīng)。高分流電阻允許對低光信號具有高靈敏度。感光區(qū)域的直徑為5毫米。平面鈍化器件結(jié)構(gòu)。波長范圍:800-1700nm 光敏面:5mm封裝方式: TO8

摘要 擴(kuò)展型InGaAs光電二極管IG22系列是一種全色PIN光電二極管，截止波長為2.2µm。該系列專為苛刻的光譜和輻射應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它提供了出色的分流電阻，并在很寬的光譜范圍內(nèi)具有優(yōu)異的響應(yīng)性。波長范圍:0.52-2.2µm封裝方式：TO,芯片

摘要 擴(kuò)展型InGaAs光電二極管IG26系列是一種全色PIN光電二極管，截止波長為2.6µm。該系列專為苛刻的光譜和輻射應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它提供了出色的分流電阻，并在很寬的光譜范圍內(nèi)具有優(yōu)異的響應(yīng)性。波長范圍:0.52-2.6µm封裝方式：TO,芯片

摘要 低噪聲200µm InGaAs雪崩光電二極管APD(04)的波長響應(yīng)范圍950-1650nm,噪聲的典型值低于1nA，增益達(dá)到M = 10 – 20。適用于激光測距，激光雷達(dá)等應(yīng)用。產(chǎn)品型號：AIn-200-04-M10-TO46

摘要200µm InGaAs雪崩光電二極管APD(05)采用TO46封裝，具有非常高線性，高功率信號的處理能力，波長響應(yīng)范圍1000-1630nm,噪聲的典型值8nA，增益達(dá)到M = 10 – 20。適用于激光測距，激光雷達(dá)等應(yīng)用。產(chǎn)品型號：AIn-200-0...

摘要描述8485D 二極管功率傳感器能夠測量 50 MHz ～ 26.5 GHz 頻率范圍內(nèi)和 -70 ～ -20 dBm 功率范圍內(nèi)（50 dB 動態(tài)范圍）的平均功率。Keysight 11708A 30 dB 衰減器配備了序列前綴為“D”的 8480 系列功率探頭，可...

摘要描述8487D 二極管功率傳感器能夠測量 50 MHz ～ 50 GHz 頻率范圍內(nèi)和 -70 ～ -20 dBm 功率范圍內(nèi)（50 dB 動態(tài)范圍）的平均功率。Keysight 11708A 30 dB 衰減器配備了序列前綴為“D”的 8480 系列功率探頭，可使用...

摘要 Orbis TimeSaver帶二極管安裝底座Orbis TimeSaver帶二極管安裝底座由美盛科技中國有限公司供應(yīng)TimeSaver帶二極管安裝底座和標(biāo)準(zhǔn)的TimeSaver底座一樣，只是多了一個二極管。它用于系統(tǒng)中在探頭拆除時可以屏蔽對終端電阻的監(jiān)視。

摘要 OptoDiode濾光片光電二極管有效面積是100mm2，檢測范圍是1-80nm。集成薄膜濾光片的光電二極管采用薄膜沉積工藝，用于檢測太陽EUV輻射、軟X射線輻射測量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜

摘要 Opto Diode生產(chǎn)的紅外發(fā)射器，用于各種醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域，包括氣體分析、環(huán)境監(jiān)測、光譜學(xué)和過程控制。有穩(wěn)態(tài)，黑體輻射脈沖光源

摘要 Opto Diode生產(chǎn)五個系列的紅外發(fā)射器，從穩(wěn)態(tài) （直流電） 發(fā)射器（SA 系列）到大功率穩(wěn)態(tài)發(fā)射器（SHA 系列），再到黑體輻射脈沖光源（SVF 系列）和黑體輻射快速脈沖光源（SPF 系列），到帶有集成驅(qū)動電子元件的高速紅外發(fā)射器（PIREPLUS）

摘要Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器波長范圍在400-740nm之間，也可以稱之為400-740nm光電探測器。可見光增強(qiáng)型探測器波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。Opto Diode光電二極管波長為632nm時最小值是0.35A/...

摘要 該儀器是專為整流二極管測試伏安特性而研制的專用檢測設(shè)備，適用于流水線上大批量測試器件是否合格。線路設(shè)計(jì)采用單片機(jī)控制，數(shù)字顯示，最小峰值漏電流可顯示1μA。具有體積小、重量輕、操作簡單、測試準(zhǔn)確、保護(hù)可靠、維修方便，價格低廉等特點(diǎn)。

摘要 SIM922A和SIM923A 二極管和鉑RTD監(jiān)視器

摘要 SIM922 二極管和鉑RTD監(jiān)視器

摘要 旁路二極管測試儀FT4310

摘要 RSNRPxxS/SN三通道二極管功率探頭主要特點(diǎn)每秒觸發(fā)10,000次測量超過50,000次讀數(shù)/秒即便在低電平條件下也具有的測量速度和精確度適合通用應(yīng)用可拆卸電纜，便于靈活操作簡介RSNRP8S三通道二極管功率探頭經(jīng)過充分修正，是一款整裝式儀器

摘要 Noisecom的噪聲二極管是所有噪聲系統(tǒng)的最基本單元。他們是手工挑選的性能特點(diǎn)，使他們非常適合寬帶噪聲和平坦響應(yīng)。

摘要 R&S®NRPxxS/SN 三通道二極管功率探頭

摘要 品牌 JJM捷捷微品類 TVS二極管封裝 SMB電子標(biāo)準(zhǔn) 工業(yè)級批號 2022脈沖峰值功率PPP 600 W

摘要 品類 TVS二極管封裝 SMA批號 2022安裝類型 貼片最小包裝 3000 pcs數(shù)量 30000 pcs

摘要 品類 TVS二極管封裝 SMA批號 2022脈沖峰值功率PPP 400 W反向漏電流IR 1 uA安裝類型 貼片

摘要 品類 TVS二極管 封裝 SMB電子標(biāo)準(zhǔn) 車規(guī)批號 2022反向漏電流IR 1 uA安裝類型 貼片

摘要Agilent8487D二極管功率傳感器8487D二極管功率傳感器The8487Ddiodepowersensormeasuresaveragepoweroverthefrequencyrange50MHzto50GHzandpowerrange-70to-20dBm...

摘要 【商品簡介】特點(diǎn)為復(fù)合成分的測量提供精確的信號固態(tài)——低維護(hù)量光纖探頭——遠(yuǎn)距離傳輸觸摸屏顯示器和人機(jī)界面轉(zhuǎn)動鍵盤適用于特殊用途4-20mA輸出Modbus以太網(wǎng)TCPIP協(xié)議輸出波長范圍廣

摘要 簡要描述： 正向二極管浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。PRM7626T-500型浪涌電流滿足JB/T7626-2013中的標(biāo)準(zhǔn)要求。

摘要 ●FT4310-01能夠在日照下輕松的檢測開路/短路故障※1●在接線盒的電池串中進(jìn)行簡單檢查※2●1次檢查完成所有測量※3●對應(yīng)PC測量的USB通訊功能（需要選件）※1也能在夜晚進(jìn)行檢查

摘要 訂貨信息島津SPD-M10Avp二極管陣列檢測池No

摘要產(chǎn)品 ID： 11930 ...

摘要產(chǎn)品 ID： 11929 ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸7 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 576 / 57...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應(yīng)。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍位于400-1100nm.品牌:德國IFW 型號: JI 546 / ...

摘要集成低噪聲JFET放大器的的Si硅光電二極管可采用單電壓電源，具有非常低的漂移和高的動態(tài)范圍。該款Si硅光電二極管超低功耗，頂部配有聚光透鏡，具有更大范圍的響應(yīng)。超非常適合于輻射測量，光譜分析以及醫(yī)學(xué)診斷。集成運(yùn)放的Si光電二極管的芯片尺寸4.8 mm2,光譜響應(yīng)范圍...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。定制款I(lǐng)FW的SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm. 芯片尺寸0.25mm2....

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-355nm.芯片尺寸2mm2.品牌:德...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)150°C的環(huán)境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-395nm，300-400nm或者350-4...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVA的紫外波段位于318-360nm.芯片尺寸1mm2.品牌:德國IF...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸1mm2.此外，可以根據(jù)...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)150°C的環(huán)境下長期工作。UVB的紫外波段位于265-322nm.芯片尺寸0.1 mm2.此外，可...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于210-355nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于215-360nm.該型號帶聚光透鏡，非常適合...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UV-ABC的紫外波段位于220-390nm.芯片尺寸0.1 mm2.品...

摘要SiC可以承受高強(qiáng)度的輻射，并具有近乎的可見光的光盲、暗電流低，響應(yīng)速度快和噪音低的特性。這使得SiC成為制備可見光光盲紫外探測器的使用材料。SiC探測器可以在溫度高達(dá)250°C的環(huán)境下長期工作。UVC的紫外波段位于225-280nm.通過特定的濾光片，紫外波段可以延...