導(dǎo)讀：據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，三星在半導(dǎo)體方面發(fā)展有成，與英業(yè)界特爾*差距縮小，或許有望超車英特爾。
　　
　　IHS24日公布，2014年英特爾半導(dǎo)體*達(dá)14.2%，衛(wèi)冕市場(chǎng)霸主;三星電子以10.9%*緊追在后，虎視眈眈英特爾的*地位，雙方差距僅剩3.3%。
　　
　　韓國(guó)專家認(rèn)為，三星若能在非內(nèi)存領(lǐng)域加碼購(gòu)并、放膽投資，有望在四、五年內(nèi)擠下英特爾，篡位為王。
　　
　　三星市占大躍進(jìn)，主因內(nèi)存表現(xiàn)突出，三星在2013年開發(fā)出3DV-NAND技術(shù)，之后又搶先各家，*個(gè)跨入20納米DRAM制程。業(yè)界估計(jì)，三星半導(dǎo)體部門*季營(yíng)益將沖上3兆韓元。