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MEMS加速度傳感器工藝尺寸將以8英寸為主，低功耗化已成為加速度傳感器廠商形成差異化的重要因素之一。
    在工藝方面，消費(fèi)電子類MEMS傳感器以8英寸為主；汽車電子和醫(yī)療電子類MEMS傳感器以6英寸為主，預(yù)計(jì)到2018年左右基本以8英寸為主。
    為進(jìn)一步改進(jìn)尺寸及功耗以滿足市場(chǎng)需求，MEMS廠商也在加快應(yīng)用新技術(shù)。意法半導(dǎo)體、博世和飛思卡爾等廠商都推出了2mm×2mm的3軸加速度傳感器，如意法半導(dǎo)體的LIS2DH、博世的BMA250、飛思卡爾的MMA8652等產(chǎn)品。而國(guó)內(nèi)廠商蘇州明皓預(yù)計(jì)2013年*季度推出國(guó)內(nèi)2mm×2mm的3軸加速度傳感器。展望未來(lái)，意法半導(dǎo)體、博世等大廠欲采用WLCSP和TSV技術(shù)以便生產(chǎn)更為小巧的加速度傳感器，面積有望縮小75%，達(dá)到1mm2。
    為了降低功耗，MEMS廠商除了不斷降低工作電流，還推出具有FIFO功能和低功耗模式的加速度傳感器。如ST LIS3DH擁有32級(jí)FIFO緩存器，可以用來(lái)緩存數(shù)據(jù)，減少處理器讀取次數(shù)，以減輕處理器負(fù)擔(dān)和降低功耗。目前低功耗化已成為加速度計(jì)廠商形成差異化的重要因素之一，降低功耗后不僅在智能手機(jī)市場(chǎng)上的銷售量會(huì)越來(lái)越多，而且還能夠以此為契機(jī)涉足要求低功耗化的其他應(yīng)用領(lǐng)域。