摘要:介紹了一種利用聲表面波諧振器穩(wěn)頻發(fā)射,晶振穩(wěn)頻接收的無(wú)線數(shù)字通信模塊的設(shè)計(jì)、制作及調(diào)試。該模塊可以使用單片機(jī)串口完成多機(jī)無(wú)線通信,具有占用單片機(jī)接口線少、節(jié)約程序空間的優(yōu)點(diǎn)。
引言
在許多現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)制作中單片機(jī)已經(jīng)普遍應(yīng)用,然而單片機(jī)之間的通信依然存在著許多不便。常見(jiàn)的有串口通信、SPI總線、I2C總線、
單總線等等,雖然所需線數(shù)越來(lái)越少,但這些連接畢竟都是建立在有線連接的基礎(chǔ)上,基本上都需要共地連接,而在很多場(chǎng)合不允許共地(如電力系統(tǒng)檢測(cè)),有的場(chǎng)合不允許布線(如車輛的剎車和碰撞加速度實(shí)驗(yàn)、數(shù)字遙控)。這時(shí)就需要一種能夠進(jìn)行無(wú)線數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)碾娐贰?br />
1、設(shè)計(jì)目的與要求
采用無(wú)線數(shù)字傳輸模塊如(nRF905、nRF401)固然能夠滿足高速率、大數(shù)據(jù)量的數(shù)字信號(hào)無(wú)線傳輸,但是其固有地址編碼和通信模式控制,多數(shù)采用SPI總線完成。對(duì)于有內(nèi)部集成SPI接口的單片機(jī)而言,至少占用3個(gè)引腳來(lái)完成SCK、MOSI、MISO的功能;對(duì)于沒(méi)有內(nèi)部集成SPI接口的單片機(jī),還需要通過(guò)軟件模擬SPI接口。
這樣造成了單片機(jī)的引腳和內(nèi)部程序空間的浪費(fèi)。同時(shí)數(shù)字傳輸模塊的價(jià)格在低成本模塊設(shè)計(jì)時(shí)也是一個(gè)要考慮的問(wèn)題。因此有必要自行設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的無(wú)線數(shù)字通信模塊,并且該模塊應(yīng)該可以使用單片機(jī)都具有的通用串口(UART)完成模塊與單片機(jī)的通信。
2、電路設(shè)計(jì)
2.1載波的選取與產(chǎn)生
根據(jù)我國(guó)《微功率(短距離)無(wú)線電設(shè)備管理暫行規(guī)定》中關(guān)于民用設(shè)備的無(wú)線控制裝置的頻率要求,同時(shí)綜合建筑物穿透能力、傳輸距離與器件是否方便獲取等因素,選取了315MHz作為本設(shè)計(jì)的載波頻點(diǎn)。315MHz可選的穩(wěn)頻網(wǎng)絡(luò)有LC振蕩器、晶體振蕩器、聲表面波諧振器(SAWF)等。其中LC振蕩器Q值z(mì)ui小可用帶寬相對(duì)較大,但是其頻率穩(wěn)定度受到元器件參數(shù)的影響較大,這給調(diào)試與使用帶來(lái)很大的不便。晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度高,但是高頻的晶體振蕩器加工存在著一定的困難。
聲表面波諧振器是用石英晶體或壓電陶瓷作為基底,在其上鍍有又指換能器(IDT)和反射柵,產(chǎn)生聲信號(hào)的時(shí)間延遲或振蕩,構(gòu)成聲表面波延遲線或諧振器。其通過(guò)壓電材料選取和又指換能器等參數(shù)設(shè)計(jì),可產(chǎn)生不同的聲表面波頻率特性,是一種濾波器件,其振蕩特性正好滿足設(shè)計(jì)要求。
2.2調(diào)制與發(fā)射電路的設(shè)計(jì)與調(diào)試
由于使用的是聲表諧振器(Q值較高)的振蕩電路輸出作為載波,同時(shí)為了在使用串口直接輸出時(shí)調(diào)制方便,兼顧接收解調(diào)電路在這里采用的是OOK調(diào)制方式。沒(méi)計(jì)的要求就是:當(dāng)單片機(jī)串口TXD輸出高電平的時(shí)候電路振蕩;當(dāng)其輸出低電平的時(shí)候電路停振。
可以采用如圖1所示的發(fā)射電路。電路中L1為高頻扼流圈,R1、R2為偏置電阻,C1為交流旁路電容,天線在諧振狀態(tài)下可以等效為一個(gè)純阻負(fù)載。
發(fā)射電路的交流等效電路如圖2所示。其中R1是天線等效負(fù)載。L1、C1、C2與Q1當(dāng)SAWF交流短路時(shí)組成電容三點(diǎn)式振蕩同路,回路振蕩頻率在其特征頻率附近,通過(guò)改變L1的匝徑與匝間距可以使LC振蕩回路落在315MHz頻率附近。這樣就滿足了起振的相位條件,振蕩的幅度條件由晶體管的非線性特性保證。這時(shí),選頻網(wǎng)絡(luò)包括了SAWF,因?yàn)橹挥蓄l率在315MHz時(shí)SAWF才表現(xiàn)為高頻短路,即把電容C1的反饋電壓送入晶體管Q1的基極。只有在TXD端高電平的時(shí)候以上條件才*;當(dāng)TXD為低電平時(shí),晶體管Q1截至,電路停振,而這正是我們需要的OOK調(diào)制形式。
調(diào)試電路時(shí),由于儀器限制,很多時(shí)候很難調(diào)整L1的匝徑與匝間距等參數(shù)。這時(shí)可以接TXD為高電平,通過(guò)短接SAWF,暫時(shí)略去其選頻功能,直接調(diào)整L1參數(shù)與后面即將提到的接收機(jī)這樣只有L1、C1、C2振蕩在315MHz時(shí)接收電路才會(huì)有輸出,達(dá)到了調(diào)整L1參數(shù)的目的。
2.3接收與解調(diào)電路的設(shè)計(jì)與制作
因?yàn)檫b控與無(wú)線數(shù)據(jù)通信不同,遙控信號(hào)中信息量少并且可以使用脈寬編碼調(diào)制等方式使用超再生接收電路,目前實(shí)際使用的很多遙控器電路都是使用超再生接收機(jī)的。
但是,超再生電路由于其靈敏度和間歇振蕩頻率的關(guān)系決定了間歇頻率在幾十到幾百kHz左有,可用數(shù)字帶寬極小,這樣就造成了數(shù)據(jù)傳輸率的低下。所以,在本設(shè)計(jì)中采用超外差電路的方法。超外差電路需要本振、混頻、低通、低放、檢波、整形等環(huán)節(jié),如果采用分立元件搭接,電路復(fù)雜調(diào)試不便,在此采用Micrel公司的MICRF002集成芯片完成一體化的超外差接收,直接完成接收、OOK解調(diào)的功能。MICRF002內(nèi)部電路如圖3所示。
圖3內(nèi)部集成有射頻放大模塊,天線接收信號(hào)后與外接品振倍頻后的本地振蕩混頻,經(jīng)一級(jí)中頻放大后經(jīng)過(guò)五階帶通濾波,再由第二級(jí)中頻放大、峰值檢波、低通濾波、比較整形一系列操作得到所需數(shù)字信號(hào)。所有這些電路均集成為一塊芯片,外部?jī)H需3個(gè)分立元件:AGC匹配電容、低通濾波電容、晶振。當(dāng)使用6MHz晶振的時(shí)候RC低通濾波的內(nèi)部等效電阻約為118kΩ,取低通濾波的頻率上限為9.6kbps的10倍,即96kHz,得到τ=1/96kHz=RC,可知C取100pF。接收電路如圖4所示。
因?yàn)榻邮针娐窐O其簡(jiǎn)單,基本無(wú)需調(diào)試。所以,在接收電路制作完成后,前面提到的發(fā)射電路可用它來(lái)調(diào)試L、C參數(shù)。
3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
該系統(tǒng)可直接利用單片機(jī)片上UART完成通信,具有元器件簡(jiǎn)單、調(diào)試方便、占用單片機(jī)接口線少、節(jié)約程序空問(wèn)等優(yōu)點(diǎn)。在資助課題“基于電流刺激模型的新型電刺激儀”中電針遙控的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合測(cè)試,該系統(tǒng)在80m左右能很好地使用4.8kbps完成無(wú)線數(shù)字通信,在9.6kbps下接收存在著較低的誤碼率。其原岡是接收端低通濾波參數(shù)仍不夠9.6kHz的信號(hào)帶寬使用造成的,但可使用奇偶校驗(yàn)、CRC校驗(yàn)等方式予以克服。經(jīng)多個(gè)應(yīng)用實(shí)例檢驗(yàn),本電路均能很好地完成單片機(jī)無(wú)線數(shù)字通信的任務(wù),同時(shí)具有軟硬件資源占用少、調(diào)試基本無(wú)須高頻設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。