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由于超導(dǎo)磁體的廣泛使用，強磁場下許多物理特性與溫度的關(guān)系，已成為低溫物理實驗的重要內(nèi)容，強磁場下溫度的測量與控制已成為很有意義的課題。
　　各類電阻敏感元件例如金屬膜電阻、半導(dǎo)體電阻、二極管正向電阻等，它們的電阻值不僅隨溫度的變化而變化，而且由于磁阻效應(yīng)，其電阻值還隨著磁場的變化而變化。所以，在使用此類電阻敏感元件時，由于磁場的存在，必會產(chǎn)生誤差。例如，用于低溫溫度測量優(yōu)勢zui多的Ge電阻溫度計，在4.2K及磁場為8T時，誤差高達50%以上，磁場越強，誤差越大。所以，許多電阻敏感元件在強磁場下根本不能使用。滲碳玻璃電阻溫度計（CGRT）的重現(xiàn)性，穩(wěn)定性比碳電阻要好得多，并且使用溫區(qū)覽，靈敏度高，磁阻效應(yīng)又比較小，所以被國內(nèi)外大多數(shù)實驗室所采用，特別是用于強磁場里的溫度測量。
　　由于CGRT的磁阻值可以用一些簡單的經(jīng)驗公式來計算，所以為用CGRT進行強磁場里的溫度控制與測量提供了可能。
　　一、強磁場下用電容進行溫度控制與測量的特征
　　雖然SrTi4電容幾乎不受磁場的影響，用它進行強磁場下溫度的控制與測量的儀器和探頭都已商品化，不少人高度贊揚和評價電容控溫的方法。但是，它存在許多不足之處，例如靈敏度不太高，在溫度范圍為50-80K，和180K以上，由于靈敏度太低而不能使用。另外更大的不足是每測量一個位必須耐心地等半個多小時。因為，在65K附近SrTiO4微晶玻璃有結(jié)構(gòu)變化。另外，還因為由于溫度變化會造成電容的膨脹（或收縮）以及電致收縮等。SrTiO4微晶玻璃要出現(xiàn)結(jié)構(gòu)弛豫，此階段要經(jīng)過半小時以上才能穩(wěn)定。所以，在改變溫度、調(diào)整電容控溫儀時，要在電橋平衡點附近進行，以免控溫電橋大的不平衡?？販仉姌虿黄胶庠酱?，電容上電壓變化越大，電致收縮就越厲害，造成的不穩(wěn)定性也就越厲害，需要穩(wěn)定的時間就越長。測量時，如果等候時間不夠，在測量時會出現(xiàn)幾十毫度到幾百毫度的漂移（誤差）。此外電容控溫儀設(shè)備昂貴，需要進口，所以尋找強磁場里溫度控制與測量的新方法是有意義的。
　　二、用CGRT在強磁場下進行溫度的控制與測量的方法
　　CGRT在磁場里誤差比較小，但是要進行測量特別是在非常強的磁場里，還是不行，例如在4.21K，19K時，誤差就高達330mK。
　　由于CGRT的磁阻可以用簡單的公式進行計算，磁場造成的誤差可以消除，所以用CGRT進行強磁場下溫度的控制與測量是*可能的。先介紹用CGRT進行強磁場下測溫的具體方法。
　　計算磁阻的公式為：
　　100△R/R。＝f（T）g（H） ——（1）式
　　其中Ro為磁場為零時CGRT的電阻值，它僅僅是溫度的函數(shù)；△R及為CGRT的磁阻值；f（T）和g（H）分別為T和H的函數(shù)。
　　由于磁阻效應(yīng)，在磁場為H、溫度為T時（溫度T是未知物理量）測量到CGRT的電阻值不是Ro：而是R，R＝R。+△R 。 從CGRT溫度表查出R對應(yīng)的溫度為T1，T1作為溫度T的一級近似，用上式算出和H，T1對應(yīng)的磁阻△R1；按 R-△R1＝R1，再查CGRT溫度表，得到與R1對應(yīng)的溫度T2（溫度T的二級近似），同樣算出和H和T2對應(yīng)的磁阻△R2；按R-△R2=R2 ，查表得T3（溫度T的三級近似）。此時，T與T3之差小于5mK，就獲得了強磁場中溫度的值。
　　對于Lake Share公司生產(chǎn)的CGRT，它的磁阻特性可以用磁阻平均值來替換，把磁阻平均值造成的溫度誤差列成表。
　　同樣，強磁場里溫度的控制問題也可以得到解決，具體做法如下：
　　在溫度不變時，磁阻值只隨磁場變化，并且有很簡單的拋物線規(guī)律，所以可將此變化規(guī)律寫入控溫程序里。如果使用不附程序的控溫電橋，例如DW-702控溫儀，那么在控溫時，當磁場變化時，控溫電橋里的電阻箱（或者DW-702里的mV定值器）也作適當?shù)恼{(diào)整，調(diào)整的大小正好等于CGRT磁阻的變化，數(shù)值可直接由（1）式算出。由于磁場變化而產(chǎn)生的溫度漂移基本上被消除，解決了強磁場下控溫的問題。