FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發(fā)和質(zhì)量控制

來源：西安勵德博特科學儀器有限公司 2022年04月14日 09:58

FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發(fā)和質(zhì)量控制

布魯克光譜 2022-03-31 15:20

碳化硅（SiC）已成為工業(yè)電子領域最重要的寬禁帶半導體之一，由于其高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，特別是對于功率半導體器件，碳化硅優(yōu)于硅，更受青睞。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs（金屬氧化物半導體場效應晶體管），這些器件已應用于鐵路、工業(yè)逆變器、航空航天、可再生能源風力渦輪機或光伏發(fā)電，以及電動或混合動力汽車等領域。企業(yè)和研究機構仍在致力于SiC相關的研究開發(fā)工作，如進一步發(fā)展的“綠色”項目，用于太陽能汽車的移動太陽能收集系統(tǒng)等。

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SiC與其他半導體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開發(fā)中，傅立葉變換紅外光譜技術（FT-IR）是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜，對晶體結構和質(zhì)量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術（FT-PL）可以提供額外的信息，如能帶結構和電荷載流子的細節(jié)。透射光譜技術可以研究半導體的帶隙、激子和其他電子特性。此外，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。

布魯克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng)，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍，擁有的步進掃描技術和出色的性能，可選真空光學臺，是上述許多應用的分析系統(tǒng)。

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布魯克公司幾十年以來一直支持半導體研發(fā)，并將為可再生能源和其他與可持續(xù)發(fā)展有關的領域做進一步貢獻，使世界變得更美好。

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