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光刻蝕的基本工序

來(lái)源：蘇州汶顥芯片科技有限公司 2016年09月27日 15:34

微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半導(dǎo)體及集成電路芯片所廣泛使用的光刻和蝕刻技術(shù)。光刻蝕是用光刻膠、掩模和紫外光進(jìn)行微制造，它的工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結(jié)構(gòu)。光刻蝕技術(shù)由薄膜沉積、光刻和刻蝕三個(gè)工序組成。

主要包括：

薄膜沉積：光刻前先在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)Å到幾十微米，這一工藝過(guò)程叫薄膜沉積。

光刻：在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠。將光刻掩模上微流控芯片設(shè)計(jì)圖案通過(guò)曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光刻膠層上的工藝過(guò)程稱為光刻。

刻蝕：是將光膠層上的平面二維圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上并進(jìn)而在基片上加工成一定深度微結(jié)構(gòu)的工藝。選用適當(dāng)?shù)目涛g劑，使它對(duì)光膠、薄膜和基片材料的腐蝕速度不同，可以在薄膜或基片上產(chǎn)生所需的微結(jié)構(gòu)。

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