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CT加速壽命試驗(yàn)機(jī)理論依據(jù):電子元器件的失效原因與器件本身所選用的材料、材料之間、器件表面或體內(nèi)、金屬化系統(tǒng)以及封裝結(jié)構(gòu)中存在的各種化 學(xué)、物理的反應(yīng)有關(guān)。器件從出廠經(jīng)過(guò)貯存、運(yùn)輸、使用到失效的壽命周期,*不在進(jìn)行著緩慢的化學(xué)物理變化。在各種外界環(huán)境下,器件還會(huì)承受了各種 熱、電、機(jī)械應(yīng)力,會(huì)使原來(lái)的化學(xué)物理反應(yīng)加速,而其中溫度應(yīng)力對(duì)失效zui為敏感。實(shí)踐證明,當(dāng)溫度升高以后,器件劣化的物理化學(xué)反應(yīng)加快,失效過(guò)程加速, 而Arrhenius模型就總結(jié)了由溫度應(yīng)力決定的化學(xué)反應(yīng)速度依賴關(guān)系的規(guī)律性,為PCT試驗(yàn)機(jī)提供了理論依據(jù)。
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