美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS研究應(yīng)用領(lǐng)域：
半導(dǎo)體材料和器件的研發(fā)—傳統(tǒng)的半導(dǎo)體和微電子專業(yè)
器件和工藝的參數(shù)監(jiān)控—半導(dǎo)體工藝線，生產(chǎn)
器件的建模（Modeling)—半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，集成電路的設(shè)計(jì)
可靠性和壽命測(cè)試—半導(dǎo)體器件可靠性研究
高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析
納米器件研究；
光電子器件的研究（LED，OLED等）；
非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器測(cè)試—Flash閃存，相變存儲(chǔ)器（PRAM），鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM)，阻變存儲(chǔ)器（RRAM)等；
有機(jī)半導(dǎo)體特性分析
太陽(yáng)能電池及光伏電池特性分析
確定樣品的電阻率和Hall載流子濃度
氧化層厚度、柵面積、串聯(lián)電阻、平帶電容、電壓、開(kāi)啟電壓、體摻雜、有效氧化層電荷密度、可動(dòng)電荷、金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)、德拜長(zhǎng)度、體電勢(shì)等。
標(biāo)準(zhǔn)C-V掃描：普通MOSFET，二極管和電容器；
MOScap：測(cè)量MOS電容器上的C-V，提取參數(shù)包括氧化層電容，氧化層厚度，摻雜濃度，耗盡深度，德拜長(zhǎng)度，平帶電容，平帶電壓，體電勢(shì)，閾值電壓，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，有效氧化層電荷；
MOSFET：對(duì)一個(gè)MOSFET器件進(jìn)行一個(gè)C-V掃描。提取參數(shù)包括：氧化層厚度，氧化層電容，平帶電容，平帶電壓，閾值電壓，摻雜濃度與耗盡深度的函數(shù)關(guān)系；
壽命：確定產(chǎn)生速度并進(jìn)行壽命測(cè)試（Zerbst圖）；
可動(dòng)離子：使用BTS方法確定并提取平帶電壓參數(shù)確定可動(dòng)電荷。包括對(duì)Hot Chuck熱吸盤(pán)的控制。在室溫下測(cè)試樣品，然后加熱后測(cè)試，然后再恢復(fù)至室溫下以確定平帶漂移電壓，從而確定可動(dòng)電荷；
電容：在金屬-絕緣-金屬（MIM）電容器上進(jìn)行C-V掃描和C-f掃描，并計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)偏差；
PN結(jié)：測(cè)量P-N結(jié)或肖特及二極管的電容與其片置電壓的函數(shù)關(guān)系；
光伏電池：測(cè)量一個(gè)發(fā)光太陽(yáng)電池的正向和反向DC特性，提取參數(shù)，功率，電流，電壓，短路電流，開(kāi)路電壓，效率。同時(shí)執(zhí)行C-V和C-f掃描特性；
BJT：在端-端之間測(cè)量電容（OV偏置情況下），Cbe，Cbc，Cec；
接線電容：測(cè)量晶圓上小的互相接線之間的電容；
納米線：在兩端的納米線器件上進(jìn)行C-V掃描；
閃存：在一個(gè)典型的柵極懸浮閃存器件上進(jìn)行C-V測(cè)量。
碳納米管、生物芯片/器件、碳納米管FET、納米線、分子線、分子晶體管、多管腳納米格
超快I-V的源和測(cè)量在很多技術(shù)領(lǐng)域變得越來(lái)越重要，包括化合物半導(dǎo)體，中功率器件，中功率器件，非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器，MEMS（微機(jī)電器件），納米器件，太陽(yáng)電池和CMOS器件。
脈沖I-V對(duì)器件進(jìn)行特性分析可以實(shí)現(xiàn)用傳統(tǒng)DC方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)的任務(wù)，比如，對(duì)納米器件的自熱效應(yīng)的克服，對(duì)于高K柵極電介質(zhì)器件中因電荷陷阱效應(yīng)而導(dǎo)致的磁滯效應(yīng)般的電流漂移。
瞬態(tài)I-V測(cè)試使得科研人員來(lái)獲取高速的電流或電壓波形。脈沖信號(hào)源可用于器件可靠性中的應(yīng)力測(cè)試，或者以多階梯脈沖模式對(duì)存儲(chǔ)器件的擦、寫(xiě)操作
通用的脈沖I-V器件測(cè)試
CMOS器件特性分析：電荷泵，自熱效應(yīng)，電荷陷阱，NBTI/PBTI分析
非易揮發(fā)性存儲(chǔ)器：閃存，相變存儲(chǔ)器
化合物半導(dǎo)體器件和材料：LED等
納米器件和MEMS等
什么是美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS參數(shù)分析儀？
美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY參數(shù)分析儀4200-SCS是一款能進(jìn)行器件、材料或過(guò)程電氣特性分析的模塊化全集成參數(shù)分析儀。利用9個(gè)測(cè)量槽和內(nèi)置低噪聲接地單元，您可以根據(jù)測(cè)試要求或預(yù)算限制進(jìn)行精密配置。
直流I-V測(cè)量是器件和材料測(cè)試的基礎(chǔ)。美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS源測(cè)量單元（SMU）是高精度源電流或電壓以及同步測(cè)量電流和電壓的精密儀器。美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS提供的寬范圍I-V測(cè)量包括：亞ρA漏電測(cè)量、μΩ電阻測(cè)量。
電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于確定各種半導(dǎo)體參數(shù)，例如摻雜濃度和分布、載流子壽命、氧化層厚度、界面態(tài)密度等。美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS提供3種C-V法：多頻（1kHz~10MHz）C-V、超低頻（10mHz~10Hz）C-V和準(zhǔn)靜態(tài)C-V。
在分析器件特性時(shí)，脈沖I-V測(cè)試非常適于防止器件自發(fā)熱或最小化電荷俘獲效應(yīng)。通過(guò)用窄脈沖和/或小占空比脈沖代替直流信號(hào)，可以在保持DUT性能的同時(shí)提取重要參數(shù)。瞬態(tài)I-V測(cè)量能讓科學(xué)家或工程師在時(shí)域采集超高速電流或電壓波形以便研究動(dòng)態(tài)特性。
保持MOS結(jié)構(gòu)柵氧化層的質(zhì)量和可靠性是半導(dǎo)體圓廠的一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。電容-電壓（C-V）測(cè)量通常用于深入研究柵氧化層的質(zhì)量。4200-SCS配備C-V儀器模塊后能簡(jiǎn)化MOS電容器測(cè)量的檢驗(yàn)和分析。4200-SCS包括了氧化層厚度、平帶電壓和閾值電壓等常用測(cè)量參數(shù)。
應(yīng)力測(cè)量檢測(cè)常用于估計(jì)半導(dǎo)體器件的工作壽命和磨損性故障。標(biāo)準(zhǔn)WLR測(cè)試包括熱載流子注入（HCI）或溝道熱載流子（CHC），負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）以及與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）。這類數(shù)據(jù)用于評(píng)價(jià)器件設(shè)計(jì)和監(jiān)控制造過(guò)程。
憑借超快I-V模塊的多脈沖波形發(fā)生和測(cè)量功能，美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS專用于應(yīng)對(duì)的、非易失存儲(chǔ)設(shè)備的挑戰(zhàn)。下面示出強(qiáng)大功能能讓您滿足幾乎所有NVM電池的測(cè)試需求。
納米技術(shù)研究分子級(jí)物質(zhì)，一個(gè)一個(gè)的原子，以建立具有全新特性的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在的研究包括利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、有機(jī)分子電子和單電子器件的設(shè)備。由于物理尺寸太小，這些器件不能用標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)試。美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS參數(shù)分析儀具有廣泛的測(cè)試應(yīng)用庫(kù)能讓您快速、自信地完成測(cè)試。
什么是自動(dòng)分析套件（ACS）?
自動(dòng)分析套件（ACS）是功能強(qiáng)大的軟件架構(gòu)，便于工程師對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種測(cè)試，對(duì)其特性進(jìn)行詳細(xì)的分析。自動(dòng)分析套件（ACS）可以與吉時(shí)利公司多種業(yè)界的源測(cè)量單元（SMU）儀器及系統(tǒng)配合使用。利用標(biāo)準(zhǔn)的自動(dòng)分析套件ACS，可以對(duì)在晶圓級(jí)或晶匣級(jí)對(duì)自動(dòng)探針進(jìn)行控制。對(duì)于手動(dòng)和單一器件測(cè)試，可以考慮ACS Basic Edition. 對(duì)于高級(jí)多個(gè)待測(cè)器件晶圓級(jí)可靠性測(cè)試，可以使用標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)分析套件（ACS）以及ACS-2600-RTM。
參數(shù)測(cè)試自動(dòng)特性分析套件 （ACS）可用于過(guò)程控制監(jiān)視（PCM）以及其他相關(guān)應(yīng)用。由于它可以與圖形用戶接口（GUI）進(jìn)行交互，非常適合小批量生產(chǎn)應(yīng)用以及包含各種半定制硬件配置的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用。
模片分類吉時(shí)利公司為半導(dǎo)體器件、傳感器、MEMS以及小型模擬IC的片上模片分類或 已知優(yōu)良模片（KGD） 測(cè)試提供高速解決方案，通過(guò)專有的高精密源測(cè)量單元（SMU）儀器或IV儀器可以對(duì)這類器件進(jìn)行測(cè)試和分裝。下面對(duì)吉時(shí)利公司諸多“測(cè)量能力"進(jìn)行探討和介紹。
晶圓級(jí)可靠性自動(dòng)特性分析套件 （ACS）包括與HCI、NBTI、TDDB、EM等有關(guān)的各種測(cè)試模塊和項(xiàng)目。而且吉時(shí)利公司的多種源測(cè)量單元儀器和系統(tǒng)已經(jīng)擴(kuò)展至多通道并行測(cè)試、超快NBTI、超高壓Vds擊穿測(cè)試。下面對(duì)吉時(shí)利公司諸多“測(cè)量能力"進(jìn)行探討和介紹。
IC器件特性分析對(duì)各種IC器件和測(cè)試結(jié)構(gòu)的諸多深度測(cè)試、測(cè)量結(jié)果及參數(shù)采集進(jìn)行創(chuàng)建和管理，包括MOSFET、MOSCAP、二極管、可靠性測(cè)試結(jié)果等。下面對(duì)吉時(shí)利公司諸多“測(cè)量能力"進(jìn)行探討和介紹。
組件特性分析對(duì) MOSFET、雙極晶體管、二極管、高功率IGBT等分立半導(dǎo)體器件的各種深度測(cè)試和測(cè)量結(jié)果進(jìn)行創(chuàng)建和管理。下面對(duì)吉時(shí)利公司諸多“測(cè)量能力"進(jìn)行探討和介紹。
吉時(shí)利 (Keithley) 儀器公司在其4200型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)中新增加了脈沖信號(hào)發(fā)生和測(cè)量功能，支持脈沖式的半導(dǎo)體特性分析功能。
新的PIV（脈沖I-V）子系統(tǒng)，更便于進(jìn)行高介電（High－k）材料、熱敏感器件和*存儲(chǔ)芯片等的前沿技術(shù)研究，使其測(cè)量更加準(zhǔn)確，產(chǎn)品投入市場(chǎng)更加快速。據(jù)稱這是款商用化的集成了精確、可重復(fù)的脈沖和DC測(cè)量于一體的解決方案，而且使用非常方便。
脈沖I-V （簡(jiǎn)稱PIV）子系統(tǒng)是吉時(shí)利公司Model 4200-SCS系統(tǒng)的一個(gè)新增選項(xiàng)。Model 4200-SCS系統(tǒng)適用于實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的精準(zhǔn)DC特性測(cè)量和分析，具有亞飛安級(jí)的微電流分辨率和實(shí)時(shí)繪圖、數(shù)據(jù)分析和處理能力。該系統(tǒng)集成了目前的半導(dǎo)體特性分析性能，包括一臺(tái)帶有Windows XP操作系統(tǒng)和大容量存儲(chǔ)器的嵌入式PC機(jī)。
脈沖I-V （PIV）子系統(tǒng)建立在一個(gè)新的雙通道脈沖發(fā)生器卡上，該卡的特點(diǎn)是擁有兩個(gè)獨(dú)立的通道，頻率范圍從1Hz到50MHz。它能夠產(chǎn)生短到10納秒的脈沖，允許對(duì)SOI和其他65nm以及更小尺寸的器件和過(guò)程進(jìn)行真實(shí)的等溫脈沖測(cè)量。精細(xì)的脈沖邊緣的緩慢控制允許對(duì)界面態(tài)、AC Stress測(cè)試和存儲(chǔ)器測(cè)試進(jìn)行精確的源和測(cè)量。用戶能夠控制幾個(gè)脈沖參數(shù)，例如：脈沖寬度、占空比、升降時(shí)間、幅度和偏移量。把脈沖式的功能和測(cè)量同Model 4200-SCS的DC特性結(jié)合起來(lái)，這在市場(chǎng)上尚是的。 與脈沖I-V （PIV）子系統(tǒng)捆綁在一起的新的、正在申請(qǐng)的軟件，無(wú)論在準(zhǔn)確度還是在可重復(fù)性方面都帶來(lái)了更好的效果。集成的軟件和面向用戶的友好界面都是很容易學(xué)習(xí)和使用的，所以即使是非專業(yè)的用戶都能快速上手并且得到很好的脈沖I-V測(cè)量結(jié)果。
PIV軟件控制著脈沖發(fā)生器和測(cè)量，設(shè)置和驅(qū)動(dòng)雙通道脈沖發(fā)生器的脈沖產(chǎn)生、觸發(fā)、進(jìn)行脈沖測(cè)量，并收集和提交數(shù)據(jù)。 新的PIV軟件套裝，具有為保證測(cè)量完整性而設(shè)置的電纜補(bǔ)償算法和為精確的脈沖極限電壓提取設(shè)置的Load-line校正方案。
PIV子系統(tǒng)內(nèi)包含了一些樣例方案（Sample Projects）和代碼，用于執(zhí)行脈沖I-V和界面態(tài)測(cè)試，節(jié)省軟件開(kāi)發(fā)的時(shí)間和費(fèi)用。完整的PIV子系統(tǒng)縮短了脈沖測(cè)量的學(xué)習(xí)曲線，還允許在單一系統(tǒng)中進(jìn)行多種測(cè)試。
主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn):
直觀的、點(diǎn)擊式Windows 操作環(huán)境
*的遠(yuǎn)端前置放大器，將SMU的分辨率擴(kuò)展至0.1fA
內(nèi)置PC提供快速的測(cè)試設(shè)置、強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析、制圖與打印、以及測(cè)試結(jié)果的大容量存儲(chǔ)
*的瀏覽器風(fēng)格的軟件界面，根據(jù)器件的類型來(lái)安排測(cè)試，可以執(zhí)行多項(xiàng)測(cè)試并提供測(cè)試序列與循環(huán)控制功能
支持 Keithley590 型與 Agilent 4284 型C-V 儀、Keithley 開(kāi)關(guān)矩陣與Agilent 81110 脈沖發(fā)生器等多種外圍設(shè)備
硬件由Keithley 交互式測(cè)試環(huán)境（KITE）來(lái)控制
用戶測(cè)試模塊功能，可用于外接儀表控制與測(cè)試平臺(tái)集成，是KITE功能的擴(kuò)充
包括驅(qū)動(dòng)軟件，支持Cascade Microtech Summit12K 系列、 Karl Suss PA-200、micromanipulator 的8860 自動(dòng)和手動(dòng)探針臺(tái)
容易使用的4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)用于實(shí)驗(yàn)室級(jí)的器件直流參數(shù)測(cè)試、實(shí)時(shí)繪圖與分析，具有高精度和亞f的分辨率。它提供了的系統(tǒng)集成能力，包括完整的嵌入式PC機(jī)，Windows NT操作系統(tǒng)與大容量存儲(chǔ)器。其自動(dòng)記錄、點(diǎn)擊式接口加速并簡(jiǎn)化了獲取數(shù)據(jù)的過(guò)程，這樣用戶可以更快地開(kāi)始分析測(cè)試結(jié)果。4200-SCS 提供了很大的靈活性，其硬件選項(xiàng)包括開(kāi)關(guān)矩陣、Keithley 與Agilent C-V 儀以及脈沖發(fā)生器等多種選擇。
4200-SCS為模塊化結(jié)構(gòu)配置非常靈活。系統(tǒng)最多可支持八個(gè)源－測(cè)量單元，包括最多四個(gè)具有1A/20W能力的大功率SMU。遠(yuǎn)端前置放大器選件 4200-PA，可以有效地減少長(zhǎng)電纜所貢獻(xiàn)的噪聲，且使SMU擴(kuò)大五個(gè)小電流量程，使其測(cè)量能力擴(kuò)展到0.1fA。前置放大器模塊同系統(tǒng)有機(jī)地組合成一體，從使用者看來(lái)，相當(dāng)于擴(kuò)充了SMU的測(cè)量分辨率。
吉時(shí)利儀器公司推出全新業(yè)界4200-SCS
包含整合式C-V 模組和軟體 使得C-V/I-V/PULSE測(cè)試更精確更迅速
吉時(shí)利儀器公司(Keithley Instruments； NYSE:KEI)針對(duì)其功能強(qiáng)大的Model 4200-SCS半導(dǎo)體元件特性分析系統(tǒng)發(fā)表新款C-V量測(cè)儀器。Model 4200-CVU 儀器可將CV量測(cè)模組，插入Model 4200-SCS的插槽，快速且輕易地量測(cè)fF至nF的電容，支援10kHz至10MHz的頻率。Model 4200-CVU其創(chuàng)新設(shè)計(jì)含有8項(xiàng)申請(qǐng)中的。這項(xiàng)設(shè)計(jì)提供直覺(jué)式點(diǎn)選的操作介面、及內(nèi)建的元件模組以取得有效的C-V量測(cè)數(shù)據(jù)。讓每個(gè)使用者都能更輕松的執(zhí)行C-V量測(cè)。
Model 4200-CVU 內(nèi)含的測(cè)試資料庫(kù)，大幅提升測(cè)試的效率。運(yùn)用Keithley的Model 4200-LS-LC-12，這款特制交換矩陣、擴(kuò)充卡搭配纜線及轉(zhuǎn)接器的組合，僅須一次量測(cè)就能完成緊密整合的C-V/I-V測(cè)試。選購(gòu)的Model 4200-PROBER-KIT 套件，讓Model 4200-SCS 能輕易連結(jié)至最普及的探針，建構(gòu)一個(gè)全面的C-V測(cè)試系統(tǒng)，易于設(shè)定與執(zhí)行I-V測(cè)試。
廣泛的應(yīng)用支援
透過(guò)這些4200-SCS 系列產(chǎn)品，吉時(shí)利在C-V量測(cè)方面取得地位，如今能透過(guò)單一半導(dǎo)體測(cè)試儀器滿足范圍的應(yīng)用，涵蓋探針的配置、元件類型、制程科技、及量測(cè)方法，包括pulse I-V。Model 4200-CVU 和選購(gòu)模組能解決其他特性曲線分析系統(tǒng)面臨的許多問(wèn)題 ─ 不是無(wú)法提供整合式C-V/I-V/pulse功能，就是其使用者操作介面與軟體資料庫(kù)的支援有限。此外，系統(tǒng)的彈性與強(qiáng)大的測(cè)試執(zhí)行引擎，可把I-V、C-V、及脈沖測(cè)試整合在相同測(cè)試流程。因此，Model 4200-SCS能以一個(gè)緊密整合的特性曲線分析解決方案，取代各種電子測(cè)試工具。
吉時(shí)利的Model 4200-SCS也能支援 C-V/I-V/pulse 并搭配其他儀器等測(cè)試方法，這些特色讓4200-SCS/CVU 解決方案適合支援：
?半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā) / 制程開(kāi)發(fā) / 可靠度實(shí)驗(yàn)室
?材料與元件研究實(shí)驗(yàn)室與聯(lián)盟
?需要桌上型DC或pulse儀器的實(shí)驗(yàn)室
?大多數(shù)需要多重用途 / 多重儀器小型設(shè)備的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室與使用者
功能強(qiáng)大的軟體
Model 4200-SCS 比起市面上的半導(dǎo)體特性曲線分析系統(tǒng)、擁有更簡(jiǎn)易操作的Windows介面(GUI)。根據(jù)累積多年顧客互動(dòng)與意見(jiàn)回饋進(jìn)行研發(fā)，使用的簡(jiǎn)易性擴(kuò)及新款Model 4200-CVU 硬體與軟體模組，是其互動(dòng)測(cè)試環(huán)境與執(zhí)行引擎的自然延伸方案。吉時(shí)利為支援Model 4200-CVU 硬體，推出眾多樣本程式、測(cè)試資料庫(kù)、以及內(nèi)建能立即執(zhí)行的參數(shù)擷取范例。
八個(gè)軟體資料庫(kù)提供范圍的C-V測(cè)試與分析。它們涵蓋所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用，包括C-V、C-t、及C-f量測(cè)與分析，支援高與低K介電系數(shù)結(jié)構(gòu)、MOSFET、BJT、二極體、快閃記憶體、光伏特元件、III-V族復(fù)合元件、以及奈米碳管(CNT)元件。除了接合面、針腳對(duì)針腳、和互連電容外，分析與參數(shù)擷取軟體還能計(jì)算出摻雜情況、 氧化層厚度、移動(dòng)電荷、載子生命周期等資料。這些測(cè)試結(jié)果包括各種不同的線性和客制化的 C-V 掃瞄、以及 C 對(duì)時(shí)間和 C 對(duì)頻率掃描。
有別于其他特性曲線分析系統(tǒng)，吉時(shí)利 C-V/I-V 會(huì)在一個(gè)紀(jì)錄詳盡的開(kāi)放式環(huán)境中進(jìn)行分析與擷取程式運(yùn)作，讓使用者能輕易修改與客制化設(shè)定其運(yùn)作程序。整合型的范例程式，是根據(jù)吉時(shí)利工程師累積的應(yīng)用知識(shí)所規(guī)劃，協(xié)助縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。
Model 4200-CVU 還含有各種*的偵測(cè)工具，協(xié)助確保C-V測(cè)試結(jié)果的有效性。若不確保測(cè)試結(jié)果是否精確呢？?jī)H須點(diǎn)選螢?zāi)簧系?“Confidence Check" 按鈕，或使用即時(shí)前方面板，隔離測(cè)試區(qū)域以便進(jìn)行驗(yàn)證。
Model 4200-SCS提供的使用者經(jīng)驗(yàn)，帶來(lái)最短的學(xué)習(xí)曲線。它能解決半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室管理者面臨的許多問(wèn)題，協(xié)助他們提高元件特性分析與模型建構(gòu)時(shí)的生產(chǎn)力與效率。
Model 4200-CVU稱贊的是其優(yōu)異的量測(cè)準(zhǔn)確性、速度、效率，這歸因于Model 4200-SCS的高速數(shù)位量測(cè)硬體，以及緊密的硬體與軟體整合，還有吉時(shí)利秉持的低雜訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則。這些優(yōu)點(diǎn)的組合，意謂Model 4200-CVU 能大幅增進(jìn)使用者的生產(chǎn)力，不論工作是簡(jiǎn)單的設(shè)定單一量測(cè)作業(yè)，或透過(guò)滑鼠點(diǎn)選的方式執(zhí)行一連串的預(yù)設(shè)測(cè)試程序、或是像觸發(fā)與執(zhí)行多個(gè)C-V掃瞄等復(fù)雜作業(yè)。系統(tǒng)的高速數(shù)位架構(gòu)，意謂著Model 4200-CVU 能以即時(shí)模式執(zhí)行與設(shè)定C-V掃瞄，速度*其他廠商的C-V儀器。
高度多元化的測(cè)試環(huán)境
除了把 I-V/C-V/pulse 測(cè)試功能整合至一個(gè)彈性化、*整合的測(cè)試環(huán)境外，Model 4200-SCS 使用者還有許多其他方案可選擇。其中包括最多8個(gè)中或高功率SMU，雙通道脈沖與波形產(chǎn)生器、以及一個(gè)整合式數(shù)位示波器。和 Model 4200-CVU一樣，這些儀器都能插入至 Model 4200-SCS 插槽，并透過(guò)功能強(qiáng)大的Keithley Test Environment Interactive (KTEI，7.0版)軟體環(huán)境來(lái)控制。這個(gè)點(diǎn)選式介面能加速測(cè)試設(shè)定流程、測(cè)試程序控制、以及資料分析的作業(yè)。KTEI 還能控制各種外部?jī)x表，包括大多數(shù)探針臺(tái)、加溫基座、測(cè)試治具、以及吉時(shí)利高完整性矩陣式切換開(kāi)關(guān)，提供業(yè)界的連結(jié)彈性。
避免設(shè)備快速淘汰
許多儀器制造商持續(xù)推出的產(chǎn)品，彼此之間可能無(wú)法相容，新產(chǎn)品的問(wèn)市，經(jīng)常代表前一代設(shè)備必須走入歷史 ─ *無(wú)法保護(hù)客戶的投資。Keithley持續(xù)將硬體與軟體升級(jí)至Model 4200-SCS的策略，意謂Model 4200-CVU模組，以及所有相關(guān)的軟體與選購(gòu)硬體，都能更新至Model 4200-SCS。這種輕易升級(jí)的管道，讓客戶不必每隔幾年就須購(gòu)買新的參數(shù)分析儀，以配合元件或材料技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展?？蛻魞H須以低廉的成本就能升級(jí)系統(tǒng)，以配合業(yè)界持續(xù)演進(jìn)的測(cè)試需求，讓投入至Model 4200-SCS的資金能進(jìn)一步延伸， 超越其他廠商的測(cè)試解決方案。此外，外部硬體與開(kāi)發(fā)測(cè)試程式的需求，也減至程度。
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