通常我們在選擇真空泵時多根據(jù)實際工況需要的真空度來選擇真空泵的類型，依據(jù)抽氣量來選擇真空泵的抽速的。當然還有其他因素影響真空泵的應用，普諾克真空科技比如說真空電子技術領域里還應考慮工藝環(huán)境的清潔情況，實際工藝過程以及泵浦里面的反應氣體和反應產(chǎn)物的顆粒。

無油真空泵應用較為廣泛的兩個領域有半導體以及LCD制造，用于無反應氣體抽出的場合有:上、下卸料室，轉移室，液晶注入，Color Filter等，用于有反應氣體抽出的場合有:離子注入，刻蝕，拋光，LPCVD, PECVD等。在CVD生產(chǎn)中要求真空泵抽出反應生成物和NF3，C2F6， HCl等清洗氣體。

一般工藝中的應用：

(1)N2清洗N2清洗的目的是稀釋真空泵內(nèi)部的反應氣體;為泵的轉軸提供密封;防止真空泵排氣口滲入空氣及水分。N:清洗的氣體量可根據(jù)需要調(diào)整。

(2)配冷阱 冷阱通常是裝在真空泵的吸氣口及排氣口位置，目的是減少反應生成物滲入到泵的量，減輕真空泵的負擔;減輕廢氣處理的負擔。

(3)溫度控制 根據(jù)工藝過程反應生成物的不同，為防止其附著在泵內(nèi)，對無油機械真空的排氣口加熱，或對上位泵實行溫度控制。

(4)在線清洗 在用LPCVD法制備氯化膜的過程中，會生出副產(chǎn)物氯化銨(NH4Cl) ,氯化銨能溶于水。利用這一特性，對單級立式無油機械真空泵可進行在線自動清洗，不必將泵拆離生產(chǎn)線就能用洗液做清洗工作。

CVD工藝中的應用

利用LPCVD工藝制備絕緣膜或半導體膜時，有機矽烷系統(tǒng)(TEOS)原料呈液體狀態(tài)，TEOS與反應副產(chǎn)物混合，形成凝膠狀而堵塞真空泵排氣口，這時在排氣口應加冷阱。

利用PECVD工藝制備絕緣膜時，TEOS的反應副產(chǎn)物以白色粉末狀通過真空泵，因此應選用非接觸型真空泵。清洗氣體使用NF3、 C2F6等與上述反應副產(chǎn)物結合，再形成另一種副產(chǎn)物，對真空泵有不良影響，此時可利用降低真空泵溫度的方法解決。

干蝕刻工藝中的應用

蝕刻工藝可分為鋁質金屬蝕刻、多晶矽類的蝕刻、氧化膜的蝕刻等，金屬類的蝕刻會產(chǎn)生大量反應副產(chǎn)物，對無油真空泵的負荷會很大。

多晶矽膜、氧化矽膜等的蝕刻使SF6等氣體，反應副產(chǎn)物較少，升華溫度較低，可以氣態(tài)形式排出泵外。鋁質金屬的蝕刻則使用三氯化硼等氯化氣體，會產(chǎn)生大量的四氯化鋁，升華溫度高，很容易附著在溫度低的部位，未發(fā)生反應的氣體又多半屬于腐蝕性較強的。在欽的蝕刻中常使用氟化系氣體，其特性類似于氯化系氣體。

鈦蝕刻生產(chǎn)中多用到氟、氯、溟化物系等腐蝕性較強的氣體，這些氣體與水結合變成強酸，有強烈腐蝕性。因此，要求泵和管道材料具有高度耐腐蝕性。