太陽能硅片厚度儀CHY-U是制備太陽能硅片過程中*的檢測(cè)設(shè)備，硅片厚度有一定的偏差范圍，對(duì)于180μm厚度的硅片，其偏差范圍為±20μm，超過此范圍則成為不良品--薄厚片。薄厚片是衡量硅片品質(zhì)的一個(gè)很重要的指標(biāo)。薄厚片的存在會(huì)影響硅片合格率及電池片的生產(chǎn)工藝，因此硅片厚度成為一項(xiàng)重要檢測(cè)指標(biāo)。

太陽能硅片厚度儀   高清圖片

標(biāo)準(zhǔn) GB/T 6618-2009《硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》中給出了硅片厚度的測(cè)量方法，并對(duì)檢測(cè)儀器的相關(guān)參數(shù)做出了規(guī)定：
1.測(cè)厚儀由帶指示儀表的探頭及支持硅片的夾具或平臺(tái)組成。
2.測(cè)厚儀應(yīng)能使硅片繞平臺(tái)中心旋轉(zhuǎn)，并使每次測(cè)量定位在規(guī)定位置的2mm范圍內(nèi)。
3.儀表Z小指示量值不大于1μm。
4.測(cè)量時(shí)探頭與硅片接觸面積不應(yīng)超過2mm²。
CHY-U型太陽能硅片厚度儀*上述要求，還配有自動(dòng)進(jìn)樣器，可完成2mm范圍內(nèi)各種薄膜、復(fù)合膜、紙張、金屬箔片等硬質(zhì)和軟質(zhì)材料厚度精確測(cè)量。在太陽能硅片的生產(chǎn)過程中能夠起到重要作用。

太陽能硅片厚度儀   硅片厚度檢測(cè)儀器

從根本上講，薄厚片的產(chǎn)生都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動(dòng)而造成的。薄厚片可分為兩大類：TV（ThicknessVariation厚度偏差），主要指硅片與硅片之間相同位置之間的厚度偏差，通常存在于同一鋸硅片中。TTV（TotalThicknessVariation整體厚度偏差），指同一片硅片上Z厚位置與Z薄位置之間的偏差。薄厚片根據(jù)其在硅片內(nèi)的分布位置可以分為四類：整片薄厚（TV）；入刀點(diǎn)薄厚（TTV）；硅片中部至出刀點(diǎn)薄厚（TTV）；單片薄厚不均（TTV）。其產(chǎn)生原因分析如下：
(1)整片薄厚：
a.導(dǎo)輪槽距不均勻。
b.切割前未設(shè)好零點(diǎn)。
c.導(dǎo)向條與硅塊之間留有縫隙，切割開始后，隨著鋼線的運(yùn)行，部分碎導(dǎo)向條被帶入線網(wǎng)，鋼線錯(cuò)位，由于鋼線在切割過程中會(huì)瞬間定位，這樣就造成硅片整片薄厚的現(xiàn)象。
d.導(dǎo)輪槽磨損嚴(yán)重。
(2)入刀點(diǎn)薄厚：
（在硅片上出現(xiàn)薄厚的位置通常為入刀點(diǎn)至向上延伸6mm的區(qū)域）
a.工作臺(tái)墊板更換錯(cuò)誤。
b.入刀階段砂漿流量大。
(3)硅片中部至出刀點(diǎn)薄厚：
a.切割過程中，有碎片、碎導(dǎo)向條等雜質(zhì)混入砂漿中，隨著砂漿的流動(dòng)和鋼線的轉(zhuǎn)動(dòng)卷入導(dǎo)輪上的線網(wǎng)中，引起跳線和切斜，造成該區(qū)域的硅片中部至出刀點(diǎn)薄厚。
b.砂漿流量不合適。
(4)單片薄厚不均：
a.鋼線張力異常，波動(dòng)較大。
b.導(dǎo)輪跳動(dòng)較大。
c.機(jī)床水平問題。
d.導(dǎo)輪問題。

通過對(duì)薄厚片的類型及產(chǎn)生原因進(jìn)行分析，可以更好地減少薄厚片的產(chǎn)生，搭配CHY-U型太陽能硅片厚度儀對(duì)硅片厚度進(jìn)行測(cè)量，可提高產(chǎn)品的成品合格率。