楊松
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進(jìn)口德國(guó)Baruffaldi DMS-08BF
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產(chǎn)地 | 進(jìn)口 | 加工定制 | 是 |
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上海歐戟貿(mào)易有限公司
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專業(yè)進(jìn)口GAT 159532219884SP S0-AKM
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ASA-RT | ATB-AV2 |
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GARLOCK | MEC01-11714 |
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GMC | GEOHM C M590A |
Funke | TPL 00-L-18-12 Serien-Nr. 777 015 Zg.-Nr. 633 800 022 0 |
PMA | KSVC-103-00231-U00 |
heidenhain | 826124-03 |
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RICELAKE | PN 21444 - Load Cell,SBM RL20000I- 10K 10,000lb 20ft 3mv/v 350 Ohm NTEP III 5S/IIIL 10S WW FM IP67 |
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晶振作為電路中的心臟,具有極其重要的作用,在各種電子產(chǎn)品設(shè)備中廣泛應(yīng)用,如果出現(xiàn)不振就會(huì)導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備不能正常工作,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?又如何去解決呢?下面一起看看:
1.參數(shù)選型不符
例如:某MCU需要匹配6PF的32.768KHz,結(jié)果選用12.5PF的,導(dǎo)致不起振。
解決措施:更換符合要求的規(guī)格型號(hào)。必要時(shí)請(qǐng)與MCU原廠確認(rèn)。
2.儲(chǔ)存環(huán)境不當(dāng)
在高溫或者低溫或者高濕度等條件下長(zhǎng)時(shí)間使用或者保存,會(huì)引起晶振的電性能惡化,可能導(dǎo)致不起振。
解決措施:盡可能在常溫常濕的條件下使用、保存,避免晶振或者電路板受潮。
3.內(nèi)部水晶片破損
運(yùn)輸過(guò)程中損壞、或者使用過(guò)程中跌落、撞擊等因素造成晶振內(nèi)部水晶片損壞,從而導(dǎo)致晶振不起振。
解決措施:更換好的晶振。平時(shí)需要注意的是:運(yùn)輸過(guò)程中要用泡沫包厚一些,避免中途損壞;制程過(guò)程中避免跌落、重壓、撞擊等,一旦有以上情況發(fā)生禁止再使用。
晶振
4.晶振內(nèi)部水晶片上附有雜質(zhì)導(dǎo)
晶振的制程之一是水晶片鍍電極,即在水晶片上鍍上一次層金或者銀電極,這要求在萬(wàn)級(jí)無(wú)塵車間作業(yè)完成。如果空氣中的塵埃顆粒附在電極上,或者有金渣銀渣殘留在電極上,則也會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。
解決措施:更換新的晶振。在選擇晶振供應(yīng)商的時(shí)候需要對(duì)廠商的設(shè)備、車間環(huán)境、工藝及制程能力予以考量,這關(guān)系到產(chǎn)品的品質(zhì)問(wèn)題。
5.晶振出現(xiàn)漏氣
晶振在制程過(guò)程中要求將內(nèi)部抽真空后充滿氮?dú)?,如果出現(xiàn)壓封不良,導(dǎo)致晶振氣密性不好出現(xiàn)漏氣;或者晶振在焊接過(guò)程中因?yàn)榧裟_等過(guò)程中產(chǎn)品的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致晶振出現(xiàn)氣密性不良;均會(huì)導(dǎo)致晶振出現(xiàn)不起振的現(xiàn)象。
解決措施:更換好的晶振。在制程和焊接過(guò)程中一定要規(guī)范作業(yè),避免誤操作導(dǎo)致產(chǎn)品損壞。
6.振蕩電路匹配值不符導(dǎo)致
影響振蕩電路的三個(gè)指標(biāo):頻率誤差、負(fù)性阻抗、激勵(lì)電平。
(1)頻差太大,導(dǎo)致實(shí)際頻率偏移標(biāo)稱頻率從而引起晶振不起振。
解決措施:選擇合適的PPM值的產(chǎn)品。
(2)負(fù)性阻抗過(guò)大或過(guò)小都會(huì)導(dǎo)致晶振不起振
解決措施:負(fù)性阻抗過(guò)大,可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)大來(lái)降低負(fù)性阻抗;負(fù)性阻抗太小,則可以將晶振外接電容Cd和Cg的值調(diào)小來(lái)增大負(fù)性阻抗。一般而言,負(fù)性阻抗值應(yīng)滿足不少于晶振標(biāo)稱最大阻抗3-5倍。
(3)激勵(lì)電平過(guò)大或者過(guò)小也將會(huì)導(dǎo)致晶振不起振
解決措施:通過(guò)調(diào)整電路中的Rd的大小來(lái)調(diào)節(jié)振蕩電路對(duì)晶振輸出的激勵(lì)電平。一般而言,激勵(lì)電平越小越好,處理功耗低之外,還跟振蕩電路的穩(wěn)定性和晶振的使用壽命有關(guān)。
7.焊接時(shí)溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng)
焊接時(shí)溫度過(guò)高或時(shí)間過(guò)長(zhǎng),導(dǎo)致晶振內(nèi)部電性能指標(biāo)出現(xiàn)異常而引起晶振不起振。以32.768KHz直插型為例,要求使用178°C熔點(diǎn)的焊錫,晶振內(nèi)部的溫度超過(guò)150°C,會(huì)引起晶振特性的惡化或者不起振。焊接引腳時(shí),280°C下5秒以內(nèi)或者260°C以下10秒以內(nèi)。不要在引腳的根部直接焊接,這樣也會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化或者不起振。
解決措施:焊接制程過(guò)程中一定要規(guī)范操作,對(duì)焊接時(shí)間和溫度的設(shè)定要符合晶振的要求。
8.電磁兼容性(EMC)問(wèn)題
解決措施:一般而言,金屬封裝的制品在抗電磁干擾上優(yōu)于陶瓷封裝制品,如果電路上電磁兼容性(EMC)較大,則盡量選用金屬封裝制品。另外晶振下面不要走信號(hào)線,避免帶來(lái)干擾。
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