當前位置:北京中慧天誠科技有限公司>>儀器儀表>>其它儀器儀表>> NXTM-2B單晶P/N型號測試儀 型號:NXTM-2B
便攜式硫化氫檢測報警儀(0~1000ppm) 型號:GJT1/H2S
單晶P/N型號測試儀 型號:NXTM-2B | 貨號:ZH8857 |
產品介紹: 本儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器采用熱電法測量硅單晶型號,配置了可自動恒溫的熱探筆,并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準確地鑒定出導電型號。 適用范圍 適合檢測硅芯,檢磷棒,檢硼棒,籽晶等圓柱晶體硅 適用于西門子法、硅烷法等生產多晶硅料的企業(yè) 適用于物理提生產多晶硅料生產企業(yè) 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業(yè) 適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè) 產品特點 儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響,因此測試精度提高 測量精度高,除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能 特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差, 測量的高精度和寬的量程范圍 雙數(shù)字表結構使測量,操作簡便 具有的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能 測量系統(tǒng)可實現(xiàn)自動換向測量、求平均值、Z大值、Z小值、平均百分變化率等 四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構,使探針的游移率減小,測量重復性提高 采用進口元器件,留有大的系數(shù),提高了測試儀的性和使用壽命 測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源(之五精度),不受氣候條件的影響 具有正測反測的功能,測試結果的準確性 具有抗強磁場和抗高頻設備的性能 參數(shù) 測量范圍 鍺:近本征鍺≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm 顯示方式: 液晶直顯 功 耗:30W 供電電源:AC 220V ±10% 50/60Hz. 推薦使用環(huán)境:溫度:23±2℃ 相對溫度:≤65% |
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