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高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號GDW3-LT1C

品       牌中慧

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

更新時間:2017-05-10 11:42:18瀏覽次數(shù):147次

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用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶的重要檢測項目。

太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器

產(chǎn)品簡介 
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶的重要檢測項目。
2、  設(shè)備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關(guān)斷時間<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應(yīng):2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
3、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)

 

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