利用傳感器外部結(jié)構(gòu)的過載保護(hù)設(shè)計(jì)，能夠很好地彌補(bǔ)單晶硅壓力傳感器自身過載保護(hù)設(shè)計(jì)的不足，不僅容易實(shí)現(xiàn)，而且抗過載壓力能大幅提高。針對(duì)差壓傳感器和表壓傳感器及絕壓傳感器，傳感器外部結(jié)構(gòu)過載保護(hù)有2種不同的設(shè)計(jì)方案。

表壓傳感器以大氣壓作為參考?jí)毫Γ錅y(cè)量硅膜片的負(fù)腔直接通大氣；絕壓傳感器以絕對(duì)真空作為參考?jí)毫?，其測(cè)量硅膜片的負(fù)腔為真空封裝狀態(tài)。表壓和絕壓傳感器的外部過載保護(hù)設(shè)計(jì)和差壓傳感器有所不同