據(jù)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)在半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的份額比例進(jìn)一步上升，其中作為中國(guó)大陸zui大半導(dǎo)體制造代工廠的中芯在前四大半導(dǎo)體制造廠中增速zui快，與中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)電進(jìn)一步縮短了差距。

中國(guó)半導(dǎo)體制造再進(jìn)一步，縮短與中國(guó)臺(tái)灣差距

目前前四大代工廠分別是臺(tái)積電、GF、聯(lián)電和中芯?；芈冯娮铚y(cè)試儀臺(tái)積電憑借著優(yōu)先優(yōu)勢(shì)正在進(jìn)一步拉開差距，2016年其在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的份額進(jìn)一步抬升到59%，老大地位無(wú)可動(dòng)搖。

GF在經(jīng)過(guò)幾年的停滯后，去年罕有的取得了10%的營(yíng)收增長(zhǎng)，因它從三星購(gòu)買來(lái)14nm FinFET工藝，贏回了部分AMD的訂單，*維持在11%。

第三位的聯(lián)電，前年錄得負(fù)增長(zhǎng)，去年總算勉強(qiáng)取得3%的增長(zhǎng)，不過(guò)由于其他三家代工廠的營(yíng)收增速更快導(dǎo)致它的*出現(xiàn)下滑，跌落到9%，位居第三位。

去年zui值得驚訝的是中國(guó)大陸的中芯了，回路電阻測(cè)試儀其營(yíng)收錄得31%的增長(zhǎng)，繼前年取得營(yíng)收高速增長(zhǎng)后去年的增速進(jìn)一步提速，*提升至6%，與聯(lián)電的營(yíng)收差距進(jìn)一步縮窄，這與中國(guó)市場(chǎng)的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)迅速成長(zhǎng)有很大關(guān)系，此外也與芯片霸主高通的大力支持有重要關(guān)系。

受中國(guó)反壟斷調(diào)查的壓力，高通在2015年選擇與中芯合作，幫助后者提升工藝制程，同時(shí)將部分芯片訂單交給后者。在高通的幫助下，中芯的28nm工藝迅速在2015年量產(chǎn)，更在去年成功將工藝改進(jìn)到28nm HKMG，與聯(lián)電處于同一水平。

聯(lián)電眼下14nm FinFET工藝進(jìn)展緩慢，導(dǎo)致它未能在去年底成功量產(chǎn)，zui終只能在廈門的12寸晶圓廠引入40nm工藝，中國(guó)臺(tái)灣方面要求聯(lián)電和臺(tái)積電必須在中國(guó)臺(tái)灣投產(chǎn)優(yōu)先在大陸建設(shè)的晶圓廠一代工藝。

中芯在先進(jìn)的28nm HKMG開始投入生產(chǎn)后，大陸的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)就無(wú)需再前往中國(guó)臺(tái)灣，而這一市場(chǎng)自2014年中國(guó)推出的集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立以來(lái)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)開始日益興盛，憑借著這種地利優(yōu)勢(shì)它的營(yíng)收于是取得了迅速的增長(zhǎng)。

今年和明年中芯的zui大挑戰(zhàn)就是其14nm FinFET工藝能否如期投產(chǎn)了。臺(tái)媒方面指聯(lián)電將在今年投產(chǎn)期14nm FinFET工藝，回路電阻測(cè)試儀這樣其廈門工廠應(yīng)該能在今年引入28nm HKMG工藝與中芯競(jìng)爭(zhēng)，明年臺(tái)積電的南京12寸晶圓廠投產(chǎn)預(yù)計(jì)會(huì)引入16nm FinFET工藝。

如果中芯不能在明年順利投產(chǎn)14nm FinFET工藝，這將給它帶來(lái)重大挑戰(zhàn)，不過(guò)早在2015年中它與高通、華為、IMEC等達(dá)成合作加快該工藝的研發(fā)，近期再獲得領(lǐng)導(dǎo)臺(tái)積電16nm FinFET工藝研發(fā)的蔣尚義加盟，更傳可能攬得FinFET工藝研發(fā)的優(yōu)先者梁孟松，梁孟松是臺(tái)積電和三星FinFET工藝的重要功臣。

在中芯的營(yíng)收迅速增長(zhǎng)的同時(shí)，其也在加大研發(fā)投入，去年其資本開支提高到25億美元，這是它在該項(xiàng)支出上超過(guò)聯(lián)電，回路電阻測(cè)試儀后者去年的資本支出為22億美元，這也有助于中芯加速其14nm FinFET工藝的研發(fā)，因此筆者認(rèn)為中芯的14nm FinFET工藝明年如期量產(chǎn)的可能性很大。