一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

       HDS-6斷路器模擬裝置主要用于繼電保護(hù)裝置的整組試驗(yàn)，以及在備用電源自投裝置試驗(yàn)等項(xiàng)目中，替代真實(shí)的高壓斷路器。配合微機(jī)繼電保護(hù)測(cè)試儀系統(tǒng)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試，可準(zhǔn)確模擬斷路器的動(dòng)作行為，動(dòng)作時(shí)間、直流電阻可調(diào)，減少斷路器在保護(hù)調(diào)試期間的開(kāi)關(guān)動(dòng)作次數(shù)，是微機(jī)繼電保護(hù)測(cè)試系統(tǒng)*的重要設(shè)備。本裝置可選配內(nèi)置電源。

 二、主要特點(diǎn)

      1、可分相或三相合閘、跳閘。

      2、自動(dòng)適應(yīng)DC48V、110V、220V電壓。

      3、可選擇不同跳、合閘電流（電阻）及時(shí)間。

      4、固態(tài)器件、光耦隔離，安全可靠。

      5、體積小、重量輕，攜帶方便。

      6、內(nèi)置電源（選配）。

 三、技術(shù)指標(biāo)

      1、供電電源：AC 220V±5%

      2、跳合閘操作電源：DC48V、110V、220V

      3、跳合閘電阻：50Ω、100Ω、200Ω

      4、合閘時(shí)間：0～199ms，級(jí)差1ms

      5、跳閘時(shí)間：0～99ms，級(jí)差1ms

      6、模擬斷路器常閉/常開(kāi)接點(diǎn)容量：AC220V/5A

      7、內(nèi)置電源：12-270V/10A（選配）

      8、環(huán)境溫度：5～40℃

      9、環(huán)境濕度：5～90%

      10、外形尺寸及質(zhì)量：

             鐵主機(jī)箱：330×218×150mm，重量6kg

             ABS機(jī)箱：415×319×168 mm，重量6.7kg

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構(gòu)不同可分為撓性羅氏線圈、剛性羅氏線圈和PCB型羅氏線圈^[10-11]。撓性羅氏線圈以能夠*的撓性材料作為線圈骨架，將導(dǎo)線均勻繞在骨架上。測(cè)量時(shí)將骨架彎曲成一個(gè)閉合的環(huán)，使通電導(dǎo)體沖線圈中心穿過(guò)。這種線圈使用方便，但測(cè)量精確度喀什市斷路器模擬裝置出廠價(jià)低、穩(wěn)定性不高。剛性羅氏線圈采用剛性結(jié)構(gòu)線圈骨架，在結(jié)構(gòu)上更容易使得繞線能夠均勻分布，大大提高了抗外磁場(chǎng)干擾的能力，從而提高了測(cè)量的精確度。這種線圈的測(cè)量精確度和可靠性較高，但在實(shí)際使用中會(huì)受到現(xiàn)場(chǎng)安裝條件的限制。PCB型羅氏線圈是一種基于印刷電路板（PCB）骨架的羅氏線圈，相比傳統(tǒng)的羅氏線圈，其線圈密度、骨架截面積以及線圈截面與中心線的垂直程度都有極大提高，是一種高精度的羅氏線圈。這種線圈現(xiàn)在還處于起步階段，其實(shí)際應(yīng)用還有一定的距頻局部放電檢測(cè)基本原理

用于局部放電檢測(cè)的羅氏線圈稱(chēng)為高頻電流傳感器，其有效的頻率檢測(cè)范圍一般為3MHz～30MHz。由于所測(cè)量的局部放電信號(hào)是微小的高頻電流信號(hào)，傳感器需要在較寬的頻帶內(nèi)有較高的靈敏度。因此HFCT選用高磁導(dǎo)率的磁芯作為線圈骨架，并通常采用自積分式線圈結(jié)構(gòu)^[13]。使用HFCT進(jìn)行局部放電檢測(cè)的等效電路圖如圖 5-2所示。其中為被測(cè)導(dǎo)體中流過(guò)的局部放電脈沖電流，M為被測(cè)導(dǎo)體與HFCT線圈之間的互感，L_s為線圈的自感，R_s為線圈的等效電阻，C_s為線圈的等效雜散電容，R為負(fù)載積分電阻，u_o(t)為HFCT傳感器的輸出電壓信號(hào)。

高頻電流傳感器局部放電檢測(cè)等效電路圖

在傳感器參數(shù)滿(mǎn)足自積分條件的情況下，忽略雜散電容喀什市斷路器模擬裝置出廠價(jià)C_s，計(jì)算可得系統(tǒng)的傳遞函數(shù)為^[1 （5-2）

其中N為線圈的繞線匝數(shù)。

因此，在滿(mǎn)足自積分條件的一段有效頻帶內(nèi)，HFCT的傳遞函數(shù)是與頻率無(wú)關(guān)的常數(shù)。并且，HFCT的靈敏度與繞線匝數(shù)N成反比，與積分電阻R成正比。

事實(shí)上，在高頻段C_s的影響是不能忽略的。在考慮C_s影響的情況下，系統(tǒng)的傳遞函數(shù)H(S)為：