光折變晶體BaTiO3

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更新時間：2015-05-15 16:45:20瀏覽次數(shù)：295次

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產(chǎn)品簡介

光折變晶體BaTiO3
鈦酸鋇（BaTiO3）單晶具有優(yōu)異的光折變性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有巨大的潛在應用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。

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光折變晶體BaTiO3

鈦酸鋇（BaTiO₃）單晶具有優(yōu)異的光折變性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有巨大的潛在應用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。

擁有對BaTiO₃單晶十余年的研發(fā)經(jīng)驗。為了擴展其光折變效應的工作波段，近年來先后開發(fā)出摻鈰（Ce）、銠（Rh）等鈦酸鋇單晶以及多種規(guī)格的BaTiO₃基片。其中Ce:BaTiO₃獲有美、中兩國發(fā)明權(quán)。

主要技術(shù)指標:

晶體結(jié)構(gòu)	四方Tetragona(4m):13°C<T<132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C)
生長方法	TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法
熔點	1612°C
折射率		515nm	633nm	800nm
	n_o	2.4912	2.4160	2.3681
	n_e	2.4247	2.3630	2.3235
透過波長范圍	0.43-6.30 mm
電光系數(shù)	r^T₁₃=8±2pm/V ? r^T₃₃=105±10pm/V ? r^T₄₂=1300±100pm/V
自泵浦相位共軛反射率（0度切）	50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO₃) 40 - 60 % (PureBaTiO₃) for l = 515nm 50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO₃) 40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO₃)
二波混頻耦合系數(shù)	10^-40 cm^-1
吸收損失	l: 515nm 633nm 800nm a: 0.285cm^-1 0.108cm^-1 0.033cm^-1
光折變效應的工作波長	Undoped BTO: for visible Ce:BTO :480-780nm Rh:BTO :for 720-1060nm