電化學(xué)工作站（高電流）CS1350
CS1350電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和度，*的硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。應(yīng)用領(lǐng)域包括：
（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）能源材料、*功能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
●雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bitAD轉(zhuǎn)換器
●內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍10μHz~115kHz
●高帶寬高輸入阻抗的放大器
●內(nèi)置FPGADDS信號(hào)合成器
●高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
●電壓控制范圍：±10V，槽壓為±12.5V
●電流控制范圍：±5.0A
●電位分辨率：10μV
●電流分辨率：100pA
軟件特點(diǎn)
①數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰高、峰面積和峰電位等；
極化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，極限擴(kuò)散電流、極化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
②實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
CorrTest實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③定時(shí)測(cè)量
CorrTest測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能，對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，提高實(shí)驗(yàn)效率。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
①極化曲線
具有線性極化和Tafel極化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)極化曲線的陽極回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析極化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。
鈦基非晶態(tài)合金和不銹鋼在3%NaCl溶液 中的動(dòng)電位極化曲線，掃描速率為1mV/s |
②伏安分析
能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）、階梯伏安（SCV）、方波伏安（SWV）、差分脈沖伏安（DPV）、交流伏安（ACV）、溶出伏安等多種電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。
聚吡咯超級(jí)電容器在0.5mol/LH2SO4鉑電極在3mmol/LK4[Fe(CN)6]+0.4mol/LKCl 溶液中的CV曲線溶液中的CV曲線（100mV/s） |
③全浮地測(cè)量
CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電極，可用于工作電極本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。
④自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍：±10V | 恒電流控制范圍：±5.0A |
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
電位靈敏度：10μV(>100Hz),3μV(<10Hz) | 電流靈敏度：<100pA |
電位上升時(shí)間：<1μS(<10mA),<10μS(<2A), <20μS(>2A) | 電流量程：20A～2μA,共8檔 |
參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF | zui大輸出電流：5.0A |
槽壓輸出：±12.5V | 電流掃描增量：1mA@1A/mS |
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV@1V/mS |
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
SWV頻率：0.001～100KHz | CV的zui小電位增量：0.075mV |
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit@1kHz | 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS | 低通濾波器：8段可編程 |
通訊接口：USB2.0 | 儀器重量：6.5Kg |
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5(D)X16(H) | |
電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器 |
頻率響應(yīng)：10μHz～115KHz | 交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV |
頻率度：0.005% | 直流偏壓：-10V～+10V |
DDS輸出阻抗：50Ω | 波形：正弦波，三角波，方波 |
正弦波失真率：<1% | 掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 |
信號(hào)分析器 |
zui大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S | 測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒 |
zui小積分時(shí)間：10mS或者一個(gè)循環(huán)的zui長(zhǎng)時(shí)間 | |
直流偏置補(bǔ)償 |
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V | 電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A |
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置,共8級(jí)可調(diào) | |
穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描
（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法（CP）、計(jì)時(shí)電流法（CA）、計(jì)時(shí)電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、
差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、交流伏安法
（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安
交流阻抗
電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-
Schottky曲線）
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕
測(cè)量（ZRA）、氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT，氫擴(kuò)散測(cè)試中主動(dòng)式充氫需要另行配置CS1002恒電位/恒電流儀使用）
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）
儀器配置
1)儀器主機(jī)1臺(tái)
2)CorrTest測(cè)試與分析軟件1套
3)電解池(含鹽橋和排氣管)1套
4)輔助、參比、工作電極各1支
5)模擬電解池1個(gè)
6)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7)電極電纜線1根
8)電極架(選配*)
9)屏蔽箱(選配*)
10)電腦（選配*）
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