LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀
LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。
技 術(shù) 指 標(biāo) ：
測(cè)試單晶電阻率范圍 | >2Ω.cm |
可測(cè)單晶少子壽命范圍 | 5μS～7000μS |
配備光源類型 | 波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒； |
高頻振蕩源 | 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz |
前置放大器 | 放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz |
儀器測(cè)量重復(fù)誤差 | <±20％ |
測(cè)量方式 | 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式 |
儀器消耗功率 | <25W |
儀器工作條件 | 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz |
可測(cè)單晶尺寸 | 斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm； |
配用示波器 | 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm； |
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