KCV-300電容電壓（C-V）特性測試儀
產(chǎn)品簡介
CV法利用PN結(jié)或肖特基勢壘在反向偏壓時的電容特性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量技術(shù)。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度分布的信息。
組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容），加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓是，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
KCV-300電容電壓（C-V）特性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測試儀器，于測量半導體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量，也可測試其它電容。
儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電流分辨率為0.01μA。
該測試儀器性能穩(wěn)定可靠，功能齊全，精度高，操作簡單，適用于元件生產(chǎn)廠家，科研部門，高等院校等單位。
主要技術(shù)指標如下：
測試信號頻率：1.000MHz±0.01%
測試信號電壓：≤100mVrms
電容測量范圍：0.001pF～10000 pF
誤差：≤±3%
直流偏壓：自帶偏壓0.01～35V，可外接偏壓源拓展，zui大偏壓輸入為100V；
漏電流：0.1～199.9μA
供電電源：AC220V 50Hz
消耗功率：<40W
