光折變晶體鈦酸鋇單晶BaTiO3
鈦酸鋇（BaTiO3）單晶具有優(yōu)異的光折變性能，具有高的自泵浦相位共軛反射率和二波混頻（光放大）效率，在光信息存儲方面有巨大的潛在應(yīng)用前景；同時它也是重要的襯底基片材料。
擁有對BaTiO3單晶十余年的研發(fā)經(jīng)驗。為了擴展其光折變效應(yīng)的工作波段，近年來先后開發(fā)出摻鈰（Ce）、銠（Rh）等鈦酸鋇單晶以及多種規(guī)格的BaTiO3基片。其中Ce:BaTiO3獲有美、中兩國發(fā)明權(quán)。
主要技術(shù)指標(biāo):
| 晶體結(jié)構(gòu) | 四方Tetragona(4m):13°C<T<132°C a=3.99 ,c=4.04,(at 26°C) |
| 生長方法 | TSSG (Top Seeded Solution Growth) 頂部籽晶法 |
| 熔點 | 1612°C |
| 折射率 | | 515nm | 633nm | 800nm |
| no | 2.4912 | 2.4160 | 2.3681 |
| ne | 2.4247 | 2.3630 | 2.3235 |
| 透過波長范圍 | 0.43-6.30 mm |
| 電光系數(shù) | rT13=8±2pm/V ? rT33=105±10pm/V ? rT42=1300±100pm/V |
| 自泵浦相位共軛反射率 （0度切） | 50 - 70 % for l = 515nm(Ce: BaTiO3) 40 - 60 % (PureBaTiO3) for l = 515nm 50 - 80 % for l = 633nm(Ce: BaTiO3) 40 - 60 % for l = 633nm (PureBaTiO3) |
| 二波混頻耦合系數(shù) | 10-40 cm-1 |
| 吸收損失 | l: 515nm 633nm 800nm a: 0.285cm-1 0.108cm-1 0.033cm-1 |
| 光折變效應(yīng)的工作波長 | Undoped BTO: for visible Ce:BTO :480-780nm Rh:BTO :for 720-1060nm |
尺寸規(guī)格：
光折變級 | 3x3x3 mm 2- 4 faces polished & poled 5x5x5 mm 2- 6 faces polished & poled 0°及45°切。 |
基片級 | Size : 5x5x1.0 mm,10x10x1.0 mm or others Polishing : 1 or 2 faces polished Poling : Substrates with
<100>，<110>，<111>orientations can not be poled；
<001>orientation substrate must be poled. |
