ZZSO與PIPS半導(dǎo)體及中子探測(cè)器
 

一、PIPS半導(dǎo)體探測(cè)器
 
PIPS半導(dǎo)體探測(cè)器外觀圖
 
AB系列的PIPS探測(cè)器測(cè)量226Ra-α源能譜
（型號(hào)：SP-D20-R14，靈敏直徑20mm，真空避光下測(cè)量，50V偏壓，jia能量分辨率0.40%）
 
一、 ZZSO與PIPS半導(dǎo)體及中子探測(cè)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
   采用鈍化、離子注入與平面光刻等多種半導(dǎo)體工藝技術(shù)相結(jié)合，經(jīng)過攻克鈍化保護(hù)、離子注入、低漏電流、大面積、高能量分辨率、環(huán)境光下使用等難題后，成功開發(fā)出用于α和β粒子的能譜和計(jì)數(shù)測(cè)量的高性能PIPS探測(cè)器。
 
二、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 超薄死層（入射窗），表面鈍化處理，穩(wěn)定性好；離子注入結(jié)，堅(jiān)固可靠；
2) 漏電流低，噪聲低，幾何探測(cè)效率高，β探測(cè)效率高；
3) 可在真空環(huán)境下使用中，AB系列探測(cè)器的α能量分辨率高；
4) CAM系統(tǒng)探測(cè)器表面可沖洗、可擦拭。特殊定制可經(jīng)350℃高溫烘烤。
 技術(shù)指標(biāo)：
靈敏直徑20mm，真空避光下測(cè)量，50V偏壓，you能量分辨率0.40%

二、SiC半導(dǎo)體探測(cè)器
 
圖1. SiC半導(dǎo)體探測(cè)器外形圖
 
圖2. SiC探測(cè)器測(cè)量241Am-α粒子能譜
（型號(hào)：SiC-CB10-20P，靈敏面積100mm2，真空閉光下測(cè)量，偏壓50V，能量分辨率0.95%）
一、 ZZSO與PIPS半導(dǎo)體及中子探測(cè)器系列一產(chǎn)品簡(jiǎn)介
SiC探測(cè)器在抗高溫、抗輻射以及耐高擊穿電壓等方面的性能非常*，SiC探測(cè)器可用于α、β、γ/X、n核輻射測(cè)量，廣泛應(yīng)用于、核能、電子、航天等領(lǐng)域。
二、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) α能量分辨率高（≤1%@5.48MeV），極低漏電流（≤10nA/cm2）
2) 耐高溫（烘烤溫度≤350℃）耐輻照（快中子≥1E14/cm2）
 

三、ZZSO中子探測(cè)器
 
 圖1.  ZZSO中子探測(cè)器n-γ響應(yīng)能譜
 ZZSO與PIPS半導(dǎo)體及中子探測(cè)器系列一產(chǎn)品簡(jiǎn)介
ZZSO中子探測(cè)器具有熱中子探測(cè)效率高、快慢中子響應(yīng)、伽馬甄別能力強(qiáng)、時(shí)間響應(yīng)快、輸出幅度大、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，各種規(guī)格的ZZSO探測(cè)器可用于中子個(gè)人劑量計(jì)、中子報(bào)警儀、中子巡測(cè)儀、中子當(dāng)量劑量?jī)x等核儀器儀表。
 
產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 熱中子探測(cè)效率高，快慢中子同時(shí)測(cè)量，中子伽馬同時(shí)測(cè)量
2) 靈敏度高，時(shí)間響應(yīng)，中子-伽馬串?dāng)_率低
3) 穩(wěn)可靠性，集成度高，功耗低