數(shù)字式四探針測(cè)試儀 型號(hào)： ST2253
概述
ST2253型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等部分組成。
主機(jī)主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成，USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入；具有零位、滿度自校功能；測(cè)試功能可自動(dòng)/手動(dòng)方式；儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作完成，也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上獨(dú)立操作完成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示，也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??！
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
測(cè)試臺(tái)選配：一般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測(cè)試臺(tái)。二探針法測(cè)試電阻率測(cè)試選SZT-K型測(cè)試臺(tái)，也可選配SZT-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配SZT-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。
詳見《四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考》點(diǎn)擊進(jìn)入
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
儀器于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本技術(shù)參數(shù)
3.1 測(cè)量范圍
電 阻：1×10-4～2×105 Ω ，分辨率：1×10-5～1×102 Ω
電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方 阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
3.2 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
直 徑：SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3. 4-1/2 位數(shù)字電壓表：
(1)量程： 20.00mV～2000mV
(2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4 數(shù)控恒流源
(1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A
(2)誤差：±0.1%讀數(shù)±2 字
3.5 四探針探頭（選配其一或加配全部）
(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)
(2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)
3.6. 電源
輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<20W
3.7.外形尺寸：
主 機(jī) 220mm（長）×245 mm（寬）×100mm（高）
凈 重：≤2.5kg
