半導(dǎo)體恒溫恒濕試驗(yàn)箱的使用現(xiàn)場(chǎng)的條件：

1．溫度：15℃~35℃  

2．相對(duì)濕度：不大于85%RH  

3．周圍無強(qiáng)烈振動(dòng)、無強(qiáng)烈電磁場(chǎng)影響  

4．周圍無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)  

5．無陽光直接照射或其它熱源直接輻射  

6．周圍無強(qiáng)烈氣流,當(dāng)周圍空氣需要強(qiáng)制流時(shí),氣流不應(yīng)直接吹到箱體上。  

7．試驗(yàn)箱應(yīng)放置平穩(wěn),保持水平。  

8．試驗(yàn)箱的四周應(yīng)留有一定的距離,方便維修操作。  

9．安裝場(chǎng)地通風(fēng)良好  

 半導(dǎo)體恒溫恒濕試驗(yàn)箱的主要技術(shù)指標(biāo) ： 

1、溫度范圍：-20℃、-40℃、-50℃、-60℃、-70℃、-80℃  

2、溫度波動(dòng)度：±0.5℃  

3、溫度偏差：≤2℃  

4、升降溫速率：0.7～1℃/min  

半導(dǎo)體恒溫恒濕試驗(yàn)箱的安全保護(hù)裝置：  

1.電源超載、短路保護(hù)、欠相、缺相保護(hù)。  

2.接地保護(hù)  

3.超溫保護(hù)  

4.壓縮過壓、過載保護(hù)  

5.為保護(hù)設(shè)備,所有報(bào)警均會(huì)自動(dòng)切斷電源,并發(fā)出聲訊提示。
  

 該設(shè)備是按照下列標(biāo)準(zhǔn)之一或其結(jié)合為依據(jù)而制造的:  

GB10589-89低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件  

GB10592-89高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件  

GB/T5170.2-1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備基本參數(shù)檢定方法溫度試驗(yàn)設(shè)備  

GB2423.1-89電工電子產(chǎn)品基本試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法  

GB2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則  

備注：可根據(jù)客戶技術(shù)要求、定制非標(biāo)尺寸!