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當前位置:北京亞歐德鵬科技有限公司>>專用儀器儀表>>其他專用儀器儀表>> DP-XRY-II混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀

混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀

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產(chǎn)品型號DP-XRY-II

品       牌亞歐

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時間:2016-12-13 12:00:46瀏覽次數(shù):447次

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混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀 型號:DP-XRY-II
1、應用范圍:本儀器適用于測定干燥或不同含濕狀況下勻質(zhì)板狀、膠狀、粉未狀、顆粒狀材料的導熱系數(shù)、蓄熱系數(shù)、導溫系數(shù)和比熱。被測材料蓄熱系數(shù)范圍在0.1-30W/M2K

混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀  型號:DP-XRY-II

混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀  型號:DP-XRY-II產(chǎn)品簡介

DP-XRY-II蓄熱系數(shù)測試儀  (熱工性能測定儀)概述該儀器的點是:裝置簡單、準確度、試驗速度快(次試驗十分鐘左右),在次試驗中可同時測出材料的導熱系數(shù),導溫系數(shù)和比熱,并且能測量不同含濕狀態(tài)下的熱物理性能。參考標準:JGJ51-2002(輕骨料混凝土規(guī)程)。蓄熱系數(shù)測試儀  (熱工性能測定儀)

混泥土蓄熱系數(shù)測試儀 蓄a熱系數(shù)測試儀  型號:DP-XRY-II主要性能 

1、應用范圍:本儀器適用于測定干燥或不同含濕狀況下勻質(zhì)板狀、膠狀、粉未狀、顆粒狀材料的導熱系數(shù)、蓄熱系數(shù)、導溫系數(shù)和比熱。被測材料蓄熱系數(shù)范圍在0.1-30W/M2K  2、試樣大?。罕≡嚰K20×20×(1.5~3)cm厚試件兩塊20×20×(4~10)cm3、電    源                      ~220V,50HZ4、外形尺寸(長×寬×)        600×440×720(mm)5、工作條件①環(huán)境溫度        10~35℃    ②相對濕度     ≤80%③室溫要求穩(wěn)定   ≤±1.5℃6、測量結(jié)果的準確度      ±5%7、連接上位機,實現(xiàn)計算機自動測試、數(shù)據(jù)打印輸出。蓄熱系數(shù)測試儀  (熱工性能測定儀)基本原理該儀器以非穩(wěn)定導熱原理為基礎,在實驗材料中短時間加熱,使實驗材料的溫度發(fā)生變化,根據(jù)其變化的點,通過導熱微分方程的解,便可計算出試驗材料的蓄熱系數(shù)、導熱系數(shù)、導溫系數(shù)和比熱

 

 

 

 

法拉第效應塞曼效應綜合實驗儀         型號;DP-FD-FZ-C
1945年,法拉第(Faraday)在探索電磁現(xiàn)象和光學現(xiàn)象之間的時,發(fā)現(xiàn)了種現(xiàn)象,當束平面偏振光穿過介質(zhì)時,如果在介質(zhì)中,沿光的傳播方向上加個磁場,就會觀察到光經(jīng)過樣品后偏振面轉(zhuǎn)過個角度,亦即磁場使介質(zhì)具有了旋光性,這種現(xiàn)象后來稱為法拉第效應。1896年,荷蘭物理學家塞曼(P.Zeeman)發(fā)現(xiàn)當光源放在足夠強的磁場中時,原來的條光譜線分裂成幾條光譜線,分裂的譜線成分是偏振的,分裂的條數(shù)隨能的類別而不同,后人稱此現(xiàn)象為塞曼效應。法拉第效應和塞 曼 效應是19紀實驗物理學家的重要成就之,它們有力的支持了光的電磁理論。 
  本公司的DP- FD-FZ-C型法拉第效應塞 曼 效應綜合實驗儀是在I型的基礎上改而成,將原來維調(diào)節(jié)的氦氖激光器改為兩維調(diào)節(jié)的半導體激光器,這樣成法拉第效應時調(diào)節(jié)更加準確方便,并且激光輸出功率更加穩(wěn)定。電磁鐵中心磁場強度也比以前有了顯著提,Z大可以達到1.4T。測角儀器將原來的游標測量的方法改為螺旋測微(將角位移轉(zhuǎn)換為直線位移),這樣讀數(shù)更加方便。該實驗儀可以作為大院校光學及近代物理實驗教學使用,也可以作為測量材料性、 光譜及磁光 作用的研究應用。 
  儀器主要參數(shù): 
  1. 半導體激光器 波長 650nm 輸出功率 >1.5mW 光斑直徑 約1mm 
  2. 電磁鐵 Z大磁感應強度約1.35T(與勵磁電源有關) 
  3. 勵磁電源 Z大輸出電流 5A Z大輸出電壓 30V 
  4.低壓汞燈 啟輝電壓 1500V 燈管直徑 6.5mm 
  5.法布里-珀羅標準 通光口徑 40mm 間隔 2mm 
  6.讀數(shù)顯微鏡 分辨率 0.01mm 測量范圍 8mm 
  7.法拉第效應 Z小測角約 2分

 

 

 

 

塞曼效應實驗儀(電磁型) 型號:DP-FD-ZM-B
 
1896年,荷蘭物理學家塞曼(P.Zeeman)發(fā)現(xiàn)當光源放在足夠強的磁場中時,原來的條光譜線分裂成幾條光譜線,分裂的譜線成分是偏振的,分裂的條數(shù)隨能的類別而不同,后人稱此現(xiàn)象為塞曼效應。 塞曼效應是繼英物理學家法拉第1845年發(fā)現(xiàn)磁致旋光效應,克爾1876年發(fā)現(xiàn)磁光克爾效應之后,發(fā)現(xiàn)的又個磁光效應。 塞曼效應不僅證實了洛侖茲電子論的準確性,而且為 湯姆遜 發(fā)現(xiàn)電子提供了證據(jù)。還證實了原子具有磁矩并且空間取向是量子化的。1902年,塞曼與洛侖茲因這發(fā)現(xiàn)共同獲得了諾貝爾物理學獎。直到今日,塞曼效應仍舊是研究原子能結(jié)構(gòu)的重要方法。 
   FD-FZ-I型塞曼效應實驗儀具有磁場穩(wěn)定,測量方便,實驗分裂環(huán)清晰等點,適用于等院校近代物理實驗和性實驗。 
  應用該實驗儀主要成以下實驗: 
  1.掌握觀測塞曼效應的實驗方法, 加深對原子磁矩及空間量子化等原子物理學概念的理解。
  2.觀察汞原子 546.1nm譜線的分裂現(xiàn)象以及它們偏振狀態(tài),由塞曼裂距計算電子荷質(zhì)比。 
  3.學習法布里-珀羅標準具的調(diào)節(jié)方法 
  4.學習CCD器件在光譜測量中的應用。(其中CCD器件、采集系統(tǒng)及實驗分析軟件選購) 
  儀器主要參數(shù): 
  1. 電磁鐵 Z大磁感應強度 1.28T 勵磁電源 Z大輸出電流 5A Z大輸出電壓 30V 
  2.低壓汞燈 啟輝電壓 1500V 燈管直徑 6.5mm 
  3.法布里-珀羅標準 通光口徑 40mm 間隔 2mm 
  4.干涉濾光片 中心波長 546.1nm 
  5. 讀數(shù)顯微鏡 分辨率 0.01mm 測量范圍8mm

 

 

 

 

磁塞曼效應實驗儀         型號;DP-FD-ZM-A
 在大院校的實驗教學中,塞曼效應是經(jīng)典的近代物理實驗內(nèi)容,通過該實驗現(xiàn)象的觀察,可以了解磁場對光產(chǎn)生的影響,認識發(fā)光原子內(nèi)部的運動狀態(tài),加深對原子磁矩和空間取向量子化的理解,并測量電子的荷質(zhì)比。 
  DP-FD-ZM-A型磁塞曼效應實驗儀與同類儀器相比具有以下點: 
  1.磁場由磁鐵提供,具有穩(wěn)定性好,中心磁感應強度的點;并且通過機械調(diào)節(jié)改變磁頭間距,調(diào)節(jié)中心的磁感應強度。 
  2.實驗儀的磁鐵和光學導軌固定連接,導軌由鋁合金型材制成,表面陽氧化,不生銹,并且導軌上配有標尺,這樣實驗調(diào)節(jié)方便,重復性好。 
  3.實驗儀配有精度斯拉計,可以測定中心磁感應強度。 
  DP-FD-ZM-A型磁塞曼效應實驗儀主要由實驗儀主機(包括斯拉計、汞燈電源)、磁鐵、筆形汞燈、會聚透鏡、干涉濾光片、F-P標準具、偏振片、成像透鏡、讀數(shù)顯微鏡組成。選配件:象素CCD采集系統(tǒng)、USB口外置圖像采集盒、塞曼效應實驗分析軟件。 
  儀器主要參數(shù): 
  1.磁鐵中心磁感強度 1360mT 
  2.標準具通光口徑 40mm 
  3.標準具空氣隙間隔 2mm 
  4.濾光片中心波長 546.1nm 
  5.讀數(shù)顯微鏡精度 0.01mm
  6.斯拉計分辨率 1mT 
  7.CCD有效象素(選配)752×582

 

 

 

 

表面磁光克爾效應實驗系統(tǒng)       型號;DP-FD-SMOKE-A
在 1845年,Michael Faraday發(fā)現(xiàn)了磁光效應,他發(fā)現(xiàn)當外加磁場加在玻璃樣品上時,透射光的偏振面將發(fā)生旋轉(zhuǎn)的效應,隨后他在外加磁場之金屬表面上做光反射的實驗,但由于他所謂的表面并不夠平整,因而實驗結(jié)果不能使人信服。1877年John Kerr在觀察偏振化光從拋光過的電磁鐵磁反射出來時,發(fā)現(xiàn)了磁光克爾效應(magneto-optic Kerr effect)。1985年Moog和Bader兩位學者行鐵薄膜磊晶成長在金單晶(100)面上的磁光克爾效應量做實驗,成功地得到原子層厚度磁性物質(zhì)之磁滯回線,并且提出了以SMOKE來作為表面磁光克爾效應 (surface magneto-optic Kerr effect)的縮寫,用以表示應用磁光克爾效應在表面磁學上的研究。由于此方法之磁性解析靈敏度達原子層厚度,且儀器配置合于真空系統(tǒng)之工作,因而成為表面磁學的重要研究方法。 
  它在磁性薄膜的磁有序、磁各向異性、層間耦合和磁性薄膜的相變行為等方面的研究中都有重要應用。應用該系統(tǒng)可以自動掃描磁性樣品的磁滯回線,從而獲得薄膜樣品矯頑力、磁各異性等方面的信息。另外,該系統(tǒng)可以和真空系統(tǒng)相連,對磁性薄膜和薄膜行原位測量。 
  儀器主要參數(shù): 
  1.半導體激光器 波長 650nm 輸出功率 2mW 
  2.偏振棱鏡 格蘭-湯普遜棱鏡 通光孔徑 8mm 消光比10 -5 主透射比90% 
  3.電磁磁鐵 中心Z大磁感應強度0.3T 磁間隙 30mm 
  4.恒流電源 Z大電壓 38V Z大輸出電流 10A

 

注:產(chǎn)品詳細介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應的 

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