變溫粘滯系數(shù)實(shí)驗(yàn)儀  型號(hào)：DP-PH-II

微型速能粉碎機(jī) 能粉碎機(jī) 粉碎機(jī) 型號(hào)：DP-WWFS-Ⅱ

該機(jī)可用于破碎煤炭、焦炭、礦物質(zhì)、土壤、砂、石和植物種子。適用于煤炭、焦化、地質(zhì)、醫(yī)藥衛(wèi)生、農(nóng)業(yè)、工業(yè)的科研單位和化驗(yàn)制樣室制取少量試樣用。

二、主要指標(biāo)

轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速：210000r/min

入料粒度：-6mm

出料粒度：≤60-120

每次入料量：≤50g

粉碎時(shí)間：3-5秒

電源：220V 50HZ

三、該產(chǎn)品點(diǎn)

1、轉(zhuǎn)速：≥10000轉(zhuǎn)/分

2、效率：50g物料僅需要3-5秒便可成粉碎，即簡(jiǎn)便又快速。

3、密封性好；工作中沒(méi)有被粉碎的物料泄漏，使工作環(huán)境保持清潔。

4、性能穩(wěn)定：可連續(xù)工作，使用壽命長(zhǎng)。

半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀/粉末電阻率測(cè)試儀 型號(hào)：DP-FZ-2006

本儀器是為了適應(yīng)當(dāng)前迅速發(fā)展中的分子半導(dǎo)電納米材料電阻率測(cè)試需要,參照有關(guān)際標(biāo)準(zhǔn)的。 儀器的電流輸出為 10 µA - 100 mA ，電阻率測(cè)試范圍為 10 ^-2 - 10 ⁵ Ω cm ，直接采用數(shù)字顯示。儀器的可靠性和

穩(wěn)定性大大增強(qiáng)，更方便于用戶， 而且價(jià)格低廉、實(shí)惠。配置不同的測(cè)試架可以對(duì)半導(dǎo)體粉末、分子納米粉末和固態(tài)金屬行電阻、電阻率多用途的測(cè)量。

適用于有機(jī)、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體粉末材料(包括納米)的電阻率測(cè)量, 也可以測(cè)量固體半導(dǎo)體材料，別適合于太陽(yáng)能多晶硅、硅粉質(zhì)量的測(cè)量、分選和質(zhì)量控制. 電阻率值直接數(shù)字顯示由具有精度加壓系統(tǒng), 度測(cè)量的測(cè)試臺(tái)和儀器組成.

儀器主要包括電氣箱和測(cè)試架兩部分，電氣測(cè)試部分由精度直流數(shù)字電壓表和直流恒定電流源組成。測(cè)試架為壓力傳感器，加壓機(jī)構(gòu)和粉末標(biāo)準(zhǔn)容器組成。壓力機(jī)構(gòu)采用手動(dòng)操作、壓力平穩(wěn)。本儀器具有測(cè)量精度，穩(wěn)定性好，重復(fù)性好，使用方便等點(diǎn)， 并有自校功能。

本儀器采用際通用的電流-電壓降法即四端子測(cè)量法，可以消除電與粉末接觸產(chǎn)生的接觸電阻誤差，還可以消除聯(lián)接系統(tǒng)所帶來(lái)的誤差，克服了以往傳統(tǒng)的二端測(cè)量粉末電阻率儀器的弊病，真實(shí)、準(zhǔn)確地測(cè)量出粉末樣品的電阻率，因此重復(fù)性好。

本儀器適用于碳素廠、焦化廠、石化廠、粉末冶金廠、等院校、科研、是檢驗(yàn)和分析固態(tài)、粉態(tài)和納米樣品質(zhì)量的種重要工具。

參數(shù)；

1. 測(cè)量范圍：
   • 電阻 10^-4 - 10⁵ Ω, 分辨率 10^-4 Ω
   • 電阻率 10^-4 - 10⁵ Ω.cm，分辨率 10^-4 Ω.cm

測(cè)量誤差 ±（0.3% 讀數(shù) + 2 字）

2. 測(cè)量電壓量程：20mV, 200mV, 2V，分辨率 10 µV
   測(cè)量精度: ±（0.3% 讀數(shù) + 2 字）
3. 測(cè)量電流：0 - 100 mA 連續(xù)可調(diào)，
   電流量程：10 µA, 100 µA, 1 mA, 10 mA, 100mA
4. 試樣粒度：40 目以下 - 60 目以上（標(biāo)準(zhǔn)篩網(wǎng)）納米粉末
5. 試樣容器：內(nèi)腔Φ16.30 ± 0.1mm
6. 試樣度：16mm ± 0.5mm 
   測(cè)量誤差：±0.1mm
7. 取樣壓力：4 Mpa ± 0.05 Mpa ( 40 kg/cm² ± 0.5 kg/cm²)
   壓力量程：0 - 100 kg 可調(diào)
8. 顯示方式: 電阻、電阻率、壓力為 3 1/2 數(shù)字顯示,并自動(dòng)顯示單位和小數(shù)點(diǎn)
9. 電源：220 ± 10% , 50HZ-60HZ, 功率消耗 < 150W 消耗
10. 外形尺寸電氣箱：440mm×120mm×320mm
11. 備有粉末測(cè)試架和固態(tài)標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試臺(tái)供選用

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半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀/電阻率測(cè)試儀/半導(dǎo)體電阻率測(cè)定儀(含探頭和測(cè)試架）　型號(hào)：DP-BD-86A

DP-BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是我廠推出的的普及型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀器，本儀器是根據(jù)四探針原理，適合半導(dǎo)體器材廠，材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料（片狀、棒狀）的體電阻率，方塊電阻（簿層電阻），也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻，經(jīng)過(guò)對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查，根據(jù)美ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，在電路和探頭方面作了重大的修改和上的許多突破，它更適合于半導(dǎo)體器材廠工藝檢測(cè)方面對(duì)中值、阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要，成為普及型的電阻率測(cè)試儀，具有測(cè)量精度，穩(wěn)定性好，輸入阻抗，使用方便、價(jià)格低廉等點(diǎn)。

   儀器主要指標(biāo)：

1．  測(cè)量范圍：電阻率10^-3—10³Ω-cm，分辯率為 10^-4Ω-cm ，可擴(kuò)展到10⁵Ω-cm

  方塊電阻10^-2—10⁴Ω/□，分辯率為10^-3Ω/□，可擴(kuò)展到10⁶Ω/□

薄層金屬電阻10^-4—10⁵Ω，分辯率為10^-4Ω

2.可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：直徑Φ15—Φ125mm；  長(zhǎng)度：150mm(可擴(kuò)展500mm)

     3.測(cè)量方式：軸向、斷面均可

4．?dāng)?shù)字電壓表：（1）量程：20mV(分辯率：10μV)、200mV、2V

             （2）測(cè)量誤差：±0.3%讀數(shù)±1字

             （3）輸入阻抗：大于10⁸Ω

             （4）顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二管（LED）數(shù)字顯示

                  0---1999具有性、過(guò)載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5．恒流源：由交流供電，具有良好的防泄漏隔離功能

（1）       直流電流：0—100mA連續(xù)可調(diào)

（2）       量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

（3）       分辯率：10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

（4）       電流誤差：±0.3%讀數(shù)±2字

6．電性能模擬考核誤差：<±0.3%符合ASTM指標(biāo)

7．測(cè)試探頭：（1）探針機(jī)械游移率：± 0.3% 符合ASTM 指標(biāo)

8．電源：交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

9．電氣箱外形尺寸：119×440×320mm

數(shù)字式四探針測(cè)試儀/四探針測(cè)試儀/數(shù)字式四探針檢測(cè)儀　型號(hào)：DP-SZT-2000

DP-SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研究成功的多用途的綜合測(cè)量裝置，它可以測(cè)量棒狀、塊狀

半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻行測(cè)量，可以從10^-6--10⁵Ω—cm全量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的必需儀器。

儀器為臺(tái)式結(jié)構(gòu)，分為電氣箱、測(cè)試架兩大部分，用戶可以根據(jù)測(cè)試需要安放在般工作臺(tái)或者用工作臺(tái)上，測(cè)試架由探頭及壓力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、樣品架組成，耐磨和使用壽命長(zhǎng)的點(diǎn)。探頭內(nèi)設(shè)有彈簧壓力裝置，壓力從0—2Kg連續(xù)可調(diào)，測(cè)試架設(shè)有手動(dòng)和電動(dòng)兩種裝置供用戶選購(gòu)。

儀器電氣箱主要由靈敏的直流數(shù)字電壓表和穩(wěn)定的恒流源組成，測(cè)量結(jié)果由數(shù)字直接顯示，儀器有自校量程，可以方便地對(duì)儀器的電氣性能行校驗(yàn)。

儀器具有測(cè)量精度、靈敏度、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等點(diǎn)，儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科學(xué)研究、等院校，對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試及工藝檢測(cè)。

儀器主要指標(biāo)：

1．  范圍：電阻率10^-4—10³Ω—cm，可擴(kuò)展至10⁵Ω—cm，分辯率為10^-6Ω—cm

         方塊電阻10^-3—10³Ω /□

         電阻10^-6—10⁵Ω

2．  可測(cè)半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm

3．  測(cè)量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測(cè)試架）

4．  數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V

  (2)測(cè)量誤差 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）

              2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）

  (3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋10⁵Ω

              20mV檔以上>10⁸Ω

  (4)顯示3 1/2位數(shù)字顯示，0—1999

具有性和過(guò)載自動(dòng)顯示，小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5．  恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給

   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔

   （3）電流誤差：±（0.3%讀數(shù)+2字）

6．四探針測(cè)試探頭  （1）探頭間距：1mm   (2)探針機(jī)械游率：±0.3%

                   (3) 探針：Φ0.5mm    (4)壓力：可調(diào)

  7. 測(cè)試架：

  （1）手動(dòng)測(cè)試架：探頭上升及下降由手動(dòng)操作，可以用作軸向和斷面的單晶棒和硅片測(cè)試。

  （2）電動(dòng)測(cè)試架：探頭的上升和下降由電動(dòng)操作，設(shè)有自動(dòng)控制器控制，探頭上升時(shí)間1S—99S可調(diào)，探頭下降時(shí)間1S—99S可調(diào)，壓力恒定可調(diào)（由砝碼來(lái)設(shè)定）同時(shí)設(shè)有腳踏控制裝置由腳踏開關(guān)控制探頭上下運(yùn)動(dòng)。

   8.電流：220V±10% 50HZ或60HZ：功率消耗<35W

9．    外形尺寸：電氣箱130×110×400mm

注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對(duì)應(yīng)的