產(chǎn)地 |
國(guó)產(chǎn) |
加工定制 |
是 |
四探針液晶顯示電阻率測(cè)試儀采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)參考國(guó)標(biāo)單晶硅物理測(cè)試方法及A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素
關(guān)鍵詞:
電阻率測(cè)試儀系統(tǒng) 四探針電阻率測(cè)試儀 導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀 高精度電阻率測(cè)試儀 表面體積電阻率測(cè)試儀
產(chǎn)品用途:
覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試
硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽(yáng)能電池、電子元器件,導(dǎo)電薄膜(ITO導(dǎo)電膜玻璃等),金屬膜,導(dǎo)電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率導(dǎo)電性油漆,導(dǎo)電性糊狀物,導(dǎo)電性塑料,導(dǎo)電性橡膠,導(dǎo)電性薄膜,金屬薄膜,EMI防護(hù)材料,導(dǎo)電性纖維,導(dǎo)電性陶瓷等,提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇.
儀器特點(diǎn):
四探針液晶顯示電阻率測(cè)試儀采用四探針組合雙電測(cè)量方法,液晶顯示,自動(dòng)測(cè)量,自動(dòng)量程,自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出;選配:PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)參考國(guó)標(biāo)單晶硅物理測(cè)試方法及A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.
技術(shù)參數(shù):
1.方塊電阻 10^-5~2×10^5Ω/□
2.電阻率 10^-6~2×10^6Ω-cm
3.測(cè)試電流 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100mA
4.電流精度 ±0.1%
5.電阻精度 ≤0.3%
6.顯示讀數(shù) 屏液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率
7.測(cè)試方式 雙電測(cè)量
8.電源 輸入:AC220V±10%.50Hz功耗:<30W
9.誤差 ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果)
10.選購(gòu)功能 選購(gòu)1.pc軟件;選購(gòu)2.方形探頭;選購(gòu)3.直線形探頭;選購(gòu)4.測(cè)試平臺(tái);5.標(biāo)準(zhǔn)電阻.
11.測(cè)試探頭 探針間距選購(gòu):1mm;2mm;3mm三種規(guī)格;探針材質(zhì)選購(gòu):碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針
12.標(biāo)準(zhǔn)電阻(選購(gòu)) 規(guī)格:1mΩ、10mΩ、100mΩ、1Ω、10Ω、1kΩ、10kΩ、100kΩ、1MΩ