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北京冠測(cè)精電儀器設(shè)備有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第14年

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  • 聚乙烯介電常數(shù)GCSTD

    聚乙烯介電常數(shù)GCSTD的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥7000更新時(shí)間：2025/1/5 9:44:25 對(duì)比
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  • 介電常數(shù)試驗(yàn)儀GCSTD

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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥9000更新時(shí)間：2025/1/5 9:42:47 對(duì)比
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  • 聚乙烯介電常數(shù)試驗(yàn)GCSTD

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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥7000更新時(shí)間：2025/1/5 9:40:23 對(duì)比
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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥8000更新時(shí)間：2025/1/3 10:00:50 對(duì)比
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  • 新款GCSTD系列工頻塑料介電常測(cè)試儀

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  • 新款GCSTD系列工頻塑料介電常測(cè)量?jī)x

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  • 新款GCSTD系列工頻橡塑介電常測(cè)量?jī)x

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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥8000更新時(shí)間：2025/1/3 9:55:26 對(duì)比
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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥8000更新時(shí)間：2025/1/3 9:53:45 對(duì)比
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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥8000更新時(shí)間：2025/1/3 9:51:40 對(duì)比
    固體介電常數(shù)測(cè)試測(cè)量介電常數(shù)介電常數(shù)測(cè)試儀器液體介電常數(shù)測(cè)試水的介電常數(shù)
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    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥5000更新時(shí)間：2025/1/3 9:49:27 對(duì)比
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  • 新款GCSTD系列高頻介電常數(shù)測(cè)試儀報(bào)價(jià)

    新款GCSTD系列高頻介電常數(shù)測(cè)試儀報(bào)價(jià)的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥13000更新時(shí)間：2025/1/3 9:44:40 對(duì)比
    介電常數(shù)測(cè)量廠商介電常數(shù)測(cè)試設(shè)備測(cè)介電常數(shù)儀器薄膜介電常數(shù)測(cè)量?jī)x測(cè)介電常數(shù)的儀器
  • 新款GCSTD系列高頻相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量?jī)x

    新款GCSTD系列高頻相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量?jī)x的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥15000更新時(shí)間：2025/1/3 9:42:46 對(duì)比
    液體介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀分類進(jìn)口介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試方法介電常數(shù)分析儀
  • 智能化高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家GCSTD

    智能化高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀廠家GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥14000更新時(shí)間：2025/1/2 21:22:35 對(duì)比
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  • 智能高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀GCSTD

    智能高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。半...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥15000更新時(shí)間：2025/1/2 21:20:19 對(duì)比
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  • 高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀生產(chǎn)廠家GCSTD

    高頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀生產(chǎn)廠家GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥16000更新時(shí)間：2025/1/2 21:18:48 對(duì)比
    介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)精密介質(zhì)損耗測(cè)量工頻介常數(shù)介質(zhì)損耗“抗干擾損耗測(cè)
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    介電常數(shù)檢測(cè)儀GCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。半導(dǎo)體元件...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥15000更新時(shí)間：2025/1/2 21:16:20 對(duì)比
    介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)介電常數(shù)儀介電常數(shù)與介電強(qiáng)度測(cè)介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)
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    聚合物介電常數(shù)測(cè)量?jī)xGCSTD、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。半導(dǎo)體元件：變...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥5000更新時(shí)間：2025/1/2 21:13:53 對(duì)比
    介電常數(shù)及介質(zhì)損耗聚苯乙烯介電常數(shù)介電常數(shù)儀器介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)及介質(zhì)損耗
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    聚酯薄膜介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。半導(dǎo)體元件：變?nèi)荻O管...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥6000更新時(shí)間：2025/1/2 21:12:08 對(duì)比
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  • 硅橡膠介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)xGCSTD

    硅橡膠介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)xGCSTD源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能...

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥5000更新時(shí)間：2025/1/2 21:09:43 對(duì)比
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    塑料介電常數(shù)測(cè)試儀源介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測(cè)試儀元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、壓電器件、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)評(píng)估和性能分析。半導(dǎo)體元件：變?nèi)?..

    型號(hào)： GCSTD-A/B 所在地：北京市參考價(jià)： ￥8000更新時(shí)間：2025/1/2 21:07:21 對(duì)比
    介電數(shù)量?jī)x器聚乙烯介電常數(shù) 測(cè)硅橡膠介電數(shù)橡膠電常數(shù)測(cè)定液體介電常數(shù)
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