據(jù)磁翻板液位計報導(dǎo)，日前，中環(huán)股份發(fā)布了晶硅材料三類新產(chǎn)品，*顆8英寸區(qū)熔硅單晶、直拉區(qū)熔太陽能電池用硅單晶和8英寸<110>晶向直拉硅單晶。據(jù)悉，這三項技術(shù)的成功突破，打破了國外對8英寸區(qū)熔硅單晶生長技術(shù)的封鎖。將進一步提升中國企業(yè)在這兩個范疇的競爭力，加速產(chǎn)業(yè)升級。 

　　中國江蘇天能儀表了解到，區(qū)熔硅單晶已成為IGBT的主體功用性材料。IGBT是新一代的功率半導(dǎo)體器件，其技術(shù)應(yīng)用的中心是經(jīng)過電源頻率調(diào)制完成整機、裝置的控制和節(jié)能，其產(chǎn)品應(yīng)用已掩蓋高速機車、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、新能源、節(jié)能家電等范疇。2010年中國IGBT市場范圍約70億元，未來估量將以25%以上的速度增長。目前有近20家區(qū)熔單晶制造商，其中前5位公司壟斷了產(chǎn)量95%以上。中環(huán)股份占領(lǐng)第三位，這次宣布制出的8英寸區(qū)熔硅單晶是國內(nèi)*。

　　中環(huán)股份以半導(dǎo)體硅單晶材料、單晶硅光伏產(chǎn)品和半導(dǎo)體器件為主停業(yè)務(wù)。是國內(nèi)歷史zui持久、綜合技術(shù)實力zui雄厚、產(chǎn)品種類zui豐厚的單晶硅材料制造企業(yè)。固然今年光伏產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩及行業(yè)洗牌，但中環(huán)股份仍宣布將仰仗技術(shù)新一代直拉區(qū)熔法進軍太陽能電池硅單晶范疇。推停止業(yè)產(chǎn)業(yè)升級展開。

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