一、目前，國內(nèi)的電容投切裝置所采用的開關(guān)元件可以分為三大類:

1、機械式接觸器投切電容裝置(MSC)

接觸器投入過程中，電容器的初始電壓為零，觸點閉合瞬間，絕大多數(shù)情況下電壓不為零、有時可能處在高峰值(極少為零)因而產(chǎn)生非常大的電流，也就是常說的合閘涌流實驗表明合閘涌流嚴重時可達電容器額定電流的 50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命，而且對電網(wǎng)造成沖擊，影響其它設(shè)備的正常工作。因此，后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流，這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的 20 倍以內(nèi)，但從長期運行情況來看，其故障率仍然非常高，維修費用較高。

總的實踐應用反映，其性能如下:優(yōu)點:價格低，初期投入成本上升少，無漏電流

2、電子式無觸點可控硅投切電容器裝置(TSC)

可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導通運行時，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR 電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量，使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在，當未接電容時，即使可控硅未導通，其輸出端也是高電壓

優(yōu)點:無涌流，無觸點，使用壽命長、維修少，投切速度快(5ms內(nèi))

3復合開關(guān)投切電容裝置(TSC+MSC)

復合開關(guān)投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。因而實現(xiàn)了投入無涌流運行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內(nèi)電流可過載10 倍額定電流的特性，過零投入，再用繼電器閉合運行。而磁保持繼電器觸點偏小，且額定機械壽命一般為 5萬次，從目前投入市場使用情況看，可控硅時有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定

總的講， 優(yōu)點:無涌流，不發(fā)熱，節(jié)能

二、用戶通過對各種電容投切裝置性能比較，根據(jù)工程上的要求，有目的進行選型以實現(xiàn)滿意的技術(shù)經(jīng)濟性能。作者通過實踐，從以上分析，提出建議如下:

1、用于無功量比較穩(wěn)定，不需要頻繁投切電容補償?shù)挠脩艨蛇x用帶帶限流電陽的接觸器投切電容裝置，這種裝置比較經(jīng)濟、價格低。由于投切次數(shù)少，相應壽命就夠長了。

2、對于需要快速頻繁投切電容補償?shù)挠脩?，如電焊、電梯等設(shè)備，應選用無觸點可控硅投切電容裝置，才能達到應有的補償效果

3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設(shè)備，無功量變化時間大于 30s的地區(qū)，則考慮選用對電網(wǎng)無沖擊、節(jié)能、安全、經(jīng)濟、使用壽命長的無涌流電容投切器。