1000°高溫真空熱臺（High-Temperature Vacuum Probe Station）
主要應用于半導體、材料科學、納米技術(shù)、光電子、薄膜技術(shù)等領(lǐng)域，具有以下用途：
1. 半導體器件測試與表征：用于不同溫度下的半導體料件、電子器件和光電子器件的性能測試和分析。
2. 材料性能表征：研究和測試材料在不同溫度下的電學、磁學、光學等性能，以及材料的穩(wěn)定性和可靠性。
3. 納米結(jié)構(gòu)與納米器件研究：在納米尺度上測量納米結(jié)構(gòu)與納米器件的電學性能，及其在高溫真空環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。
4. 薄膜與界面性能研究：在真空環(huán)境中測試薄膜、多層膜和薄膜器件等的電學、光學性能，以及薄膜與界面狀態(tài)的評價。
5. 表面處理與效應研究：對材料表面進行表征，并在高溫真空條件下研究表面處理方法，如氧化、氮化、硅化等的效應。
6. 功能材料及元器件的研發(fā)：開展各種功能材料及元器件的研究與開發(fā)工作，提高材料的性能水平，為電子、光電子、訊通等新技術(shù)的應用提供支持。
7. 微電子技術(shù)與工藝研究：探索制備新型而高效的微電子器件，開發(fā)具有市場競爭力的微電子器件和工藝。
8. 熱學性能測試與研究：測量和研究新材料、新器件以及其它元器件在不同溫度下的熱學性能，如熱導率、熱膨脹系數(shù)等。
總之，1000度高溫真空探針臺用于研究多種材料和器件在不同溫度和真空環(huán)境下的性能、可靠性和穩(wěn)定性，為新材料、新器件和新技術(shù)的開發(fā)與應用提供強有力的科學依據(jù)。
1000°高溫真空熱臺的技術(shù)參數(shù)：
真空腔體 |
類型 | 高溫加熱型 1000℃（高于 600℃需真空環(huán)境） |
腔體材質(zhì) | 6061 鋁合金 |
腔體重量 | 約1.5KG |
腔體內(nèi)尺寸 | 147mmX72mmX22mm |
腔體外尺寸 | 170mmX95mmX37mm |
腔體上視窗尺寸 | Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離） |
腔體抽氣口 | KF16法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接） |
腔體真空測量口 | KF16 法蘭（其余接口規(guī)格可轉(zhuǎn)接） |
腔體進氣口 | 公制3mm 6mm氣管接頭 英制1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 |
腔體冷卻方式 | 腔體水冷+上蓋氣冷 |
腔體水冷接口 | 6mm快擰 或 6mm快插 |
腔體正壓 | ≤0.05MPa |
腔體真空度 | 機械泵≤5Pa （5分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30分鐘） |
樣品臺 |
樣品臺材質(zhì) | 高溫絕緣陶瓷 |
樣品臺尺寸 | 26x26mm |
樣品臺加熱方式 | 電阻加熱 |
樣品臺-視窗 距離 | 13mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離） |
樣品臺測溫傳感器 | S 型熱電偶 |
樣品臺溫度 | 室溫到1000℃ |
樣品臺測溫誤差 | ±0.1℃ |
樣品臺升溫速率 | 高溫 100℃/min |
溫控儀 |
溫度顯示 | 7寸人機界面 |
溫控類型 | 標準 PID 溫控 +自整定 30 段編程控溫 |
溫度分辨率 | 1℃ |
溫控精度 | ±1℃ |
溫度信號輸入類型 | S （可選 PT100 熱電阻 K B 型熱電偶） |
溫控輸出 | 直流線性電源加熱 |
輔助功能 | 溫度數(shù)據(jù)采集并導出 實時溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴展真空讀數(shù)接口 |
溫控器尺寸 | 32cmX170cmX380cm |
溫控器重量 | 約5.6KG |
水冷機 |
冷卻方式 | 壓縮制冷 |
冷卻溫度 | 室溫到 5℃ |
冷卻水流量 | 10L/min |
冷卻介質(zhì) | 純水 |
冷卻水管接口 | 6mm 快插 |
循環(huán)水箱容量 | 6L |
水冷機尺寸 | 56cmX28cmX45cm |
水冷機重量 | 約 26KG |
整機功率 | 600W |
