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北京多晶電子科技有限公司


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SUM60030E-GE3 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

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更新時(shí)間：2025-01-15 07:52:07瀏覽次數(shù)：23次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

SUM60030E-GE3 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管更新：2024-3-13 14:49:17點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌Vishay產(chǎn)品型號(hào)SUM60030E-GE3產(chǎn)品描述MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...PDF下載 詢價(jià) 申請(qǐng)樣品

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹

描述

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術(shù) TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項(xiàng)，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進(jìn)行擴(kuò)展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝，具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應(yīng)用包括電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開關(guān)、直流/直流電源逆變器和整流器、電動(dòng)工具及電池管理。

特性

TrenchFET® 功率 MOSFET

結(jié)溫 175°C

非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗

經(jīng) 100（單位：%） Rg 和 UIS 測(cè)試

Qgd/Qgs 比 < 0.25

可通過邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行操作

規(guī)格

通道數(shù)量:

1 Channel


晶體管極性:

N-Channel


Vds-漏源極擊穿電壓:

80 V


Id-連續(xù)漏極電流:

120 A


Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:

3.4 mOhms


Vgs - 柵極-源極電壓:

+/- 20 V


Vgs th-柵源極閾值電壓:

2 V


Qg-柵極電荷:

94 nC


工作溫度:

+ 175 C


技術(shù):

Si


封裝:

Reel


通道模式:

Enhancement


配置:

1 N-Channel


下降時(shí)間:

14 ns


最小工作溫度:

- 55 C


Pd-功率耗散:

375 W


上升時(shí)間:

24 ns


晶體管類型:

N-Channel


典型關(guān)閉延遲時(shí)間:

34 ns


典型接通延遲時(shí)間:

24 ns


單位重量:

2 g





 

 


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