直讀光譜儀OES8000s采用CMOS檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù),可測(cè)試覆蓋波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有譜線，配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便。儀器體積小巧，方便維護(hù)和實(shí)驗(yàn)室放置。OES8000s是測(cè)試鋼鐵和有色金屬材料元素的通用型儀器，可以滿足包括：Fe基體、Cu基體、Al基體、Ti基體、Pb基體、Mg基體、Co基體等基體要求，是金屬元素分析的較優(yōu)選擇。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1)全譜分析技術(shù)，方便配置更多基體和元素，方便在用戶現(xiàn)場(chǎng)補(bǔ)充配置；
2)儀器體積小巧，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間要求低；
3)工作時(shí)間長(zhǎng)，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性；
4)樣品測(cè)試速度快，單次測(cè)試過(guò)程少于40秒；
5)儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，對(duì)人員專業(yè)要求低；
6)原廠安裝分析程序，測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，適用合號(hào)齊全；
7)配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正；
8)不使用化學(xué)試劑，測(cè)試過(guò)程安全、環(huán)保。
技術(shù)參數(shù)
1)分光室設(shè)計(jì)
帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm 波長(zhǎng)范圍140 – 680nm
像素分辨率10pm 恒溫33℃±0.2℃
特殊材質(zhì)鑄造，保證光室形變小 間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5%
2)凹面光柵
刻線密度3600l/mm
光譜線色散率：1.04 nm/mm
3)檢測(cè)器
高性能線陣CMOS
4)分析時(shí)間
依樣品種類而不同，一般少于40秒
5)激發(fā)光源
全數(shù)字等離子火花光源技術(shù) 高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)
頻率100-1000Hz 電流1-80A
6)激發(fā)臺(tái)
3mm樣品臺(tái)分析間隙
噴射電極技術(shù)
特殊設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證低氬氣消耗
7)尺寸和重量
高450mm 長(zhǎng)900mm 寬600 mm
120 kg
8)功率
大功率1500W
待機(jī)功率70W
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